PD55025STR-E

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封裝
批號
價格
說明
操作

PD55025STR-E
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
PowerSO-10RF（直引線）
18+
-
RF Mosfet LDMOS 12.5...

PD55025STR-E
深圳市悅興晨電子科技有限公司
深圳市悅興晨電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：０７５５-８２８１２００４82811605
地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)405棟607室柜臺號新亞洲二期N2B227
300
ST
原產原產
2023+
-
射頻功率晶體管LDMOS

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功能描述
射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F.
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶體管極性
頻率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
輸出功率
100 W
汲極/源極擊穿電壓
漏極連續(xù)電流
閘/源擊穿電壓
最大工作溫度
封裝 / 箱體
NI-780-4
封裝
Tray

PD55025STR-E 技術參數(shù)

PD55025S-E 功能描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS 頻率:500MHz 增益:14.5dB 電壓 - 測試:12.5V 額定電流:7A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:200mA 功率 - 輸出:25W 電壓 - 額定:40V 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:PowerSO-10RF（直引線）標準包裝:50 PD55025-E 功能描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS 頻率:500MHz 增益:14.5dB 電壓 - 測試:12.5V 額定電流:7A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:200mA 功率 - 輸出:25W 電壓 - 額定:40V 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:50 PD55015TR-E 功能描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS 頻率:500MHz 增益:14dB 電壓 - 測試:12.5V 額定電流:5A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:150mA 功率 - 輸出:15W 電壓 - 額定:40V 封裝/外殼:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）供應商器件封裝:PowerSO-10RF（成形引線）標準包裝:1 PD55015S-E 功能描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS 頻率:500MHz 增益:14dB 電壓 - 測試:12.5V 額定電流:5A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:150mA 功率 - 輸出:15W 電壓 - 額定:40V 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:PowerSO-10RF（直引線）標準包裝:50 PD55015-E 功能描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS 頻率:500MHz 增益:14dB 電壓 - 測試:12.5V 額定電流:5A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:150mA 功率 - 輸出:15W 電壓 - 額定:40V 封裝/外殼:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）供應商器件封裝:PowerSO-10RF（成形引線）標準包裝:50 PD57006S-E PD57006STR-E PD57006TR-E PD57018 PD57018-E PD57018S PD57018S-E PD57018STR-E PD57018TR-E PD57030 PD57030-E PD57030S PD57030S-E PD57045-E PD57045S PD57045S-E PD57045TR-E PD57060-E