2012年功率半導體規(guī)模將達200億美元
發(fā)布時間：2/8/2015 | 10307 次閱讀
市調(diào)機構(gòu) yole developpement 指出，包括分立式半導體、模塊和ic在內(nèi)的功率組件市場規(guī)模預估2012年將達到200億美元。這些產(chǎn)品可滿足新興的混合動力車應用，以及從太陽能逆變器到照明、加熱器等多種應用，產(chǎn)品范圍從幾伏特到數(shù)千伏特都包含在內(nèi)。
yole 的分析師認為，中高壓市場中的 igbt 產(chǎn)值約為16億美元。超接面(superjunction) mosfet 正在朝更高度開關(guān)頻率的方向發(fā)展，預估2012年市場規(guī)模為5.67億美元。
而性能可超越傳統(tǒng)硅組件的新型氮化鎵(gan)和碳化硅(sic)技術(shù)，則由于過于昂貴，因此仍處在早期部署階段。
不過，yole表示，這些材料將會對led照明應用領(lǐng)域帶來影響，而且目前也已經(jīng)有一些制造商表示考慮選用這些材料了。
“gan和sic還未成熟到足以應用在功率電子市場中：首先，這類產(chǎn)品要求改善制造技術(shù)，特別是在磊晶厚度方面；其次是材料仍然相當昂貴，因此很難走進一般消費應用領(lǐng)域，yole表示。
據(jù)ims research表示，2012年功率半導體市場預估將達320億美元，比2011年成長5%。