2012年功率半導(dǎo)體規(guī)模將達(dá)200億美元
發(fā)布時(shí)間：2/8/2015 | 10281 次閱讀
市調(diào)機(jī)構(gòu) yole developpement 指出，包括分立式半導(dǎo)體、模塊和ic在內(nèi)的功率組件市場規(guī)模預(yù)估2012年將達(dá)到200億美元。這些產(chǎn)品可滿足新興的混合動(dòng)力車應(yīng)用，以及從太陽能逆變器到照明、加熱器等多種應(yīng)用，產(chǎn)品范圍從幾伏特到數(shù)千伏特都包含在內(nèi)。
yole 的分析師認(rèn)為，中高壓市場中的 igbt 產(chǎn)值約為16億美元。超接面(superjunction) mosfet 正在朝更高度開關(guān)頻率的方向發(fā)展，預(yù)估2012年市場規(guī)模為5.67億美元。
而性能可超越傳統(tǒng)硅組件的新型氮化鎵(gan)和碳化硅(sic)技術(shù)，則由于過于昂貴，因此仍處在早期部署階段。
不過，yole表示，這些材料將會(huì)對(duì)led照明應(yīng)用領(lǐng)域帶來影響，而且目前也已經(jīng)有一些制造商表示考慮選用這些材料了。
“gan和sic還未成熟到足以應(yīng)用在功率電子市場中：首先，這類產(chǎn)品要求改善制造技術(shù)，特別是在磊晶厚度方面；其次是材料仍然相當(dāng)昂貴，因此很難走進(jìn)一般消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域，yole表示。
據(jù)ims research表示，2012年功率半導(dǎo)體市場預(yù)估將達(dá)320億美元，比2011年成長5%。