安森美半導體推出高性能場截止型IGBT

發(fā)布時間:2/2/2015 | 227 次閱讀

  應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導體 (on semiconductor,美國納斯達克上市代號:onnn )推出新系列的場截止型(field stop) 絕緣門雙極結(jié)晶體管(igbt) ,目標應(yīng)用為工業(yè)電機控制及消費類產(chǎn)品。ngtb15n120、ngbt20n120及ngbt25n120應(yīng)用于高性能電源轉(zhuǎn)換方案,適合多種要求嚴格的應(yīng)用,包括電磁爐、電飯煲及其它廚房小家電應(yīng)用。

  能源價格不斷上升及圍繞碳排放的環(huán)保因素,持續(xù)帶動更高性能功率分立元器件的需求,尤其是在大功率電磁感應(yīng)及變頻器的應(yīng)用。這些新的額定電壓1,200伏(v)的igbt采用深溝槽技術(shù)及先進的晶圓薄化及加工處理技術(shù),提供極低的關(guān)閉損耗,同時在導通期間維持低通態(tài)電壓,因而提供更低的開關(guān)損耗及導電損耗。這些器件提供15安培(a)、20 a及25 a額定電流等不同選擇,且與極低正向壓降及軟恢復快速整流器組合封裝,符合客戶對高能效的嚴格要求,同時為他們提供高空間利用率的完整方案。

  安森美半導體功率分立產(chǎn)品分部高級總監(jiān)兼總經(jīng)理john trice說:“安森美半導體為汽車應(yīng)用提供高性能及可靠的igbt已超過十年,一直是市場上領(lǐng)先的供應(yīng)商。新的1,200 v系列的高性能igbt充分利用了我們在高壓溝槽型技術(shù)及晶圓工藝技術(shù)的知識產(chǎn)權(quán)及能力,同時為多種終端市場的客戶提供高質(zhì)量及強固的方案,用于他們講究高能效的電源應(yīng)用。”

  封裝及價格

  采用to-247封裝的場截止型igbt器件節(jié)省電路板空間,經(jīng)過優(yōu)化,提供極低的通態(tài)壓降和關(guān)閉開關(guān)損耗。ngtb15n120ihlwg、ngtb20n120ihlwg及ngtb25n120ihlwg電磁感應(yīng)加熱專用igbt每批量2,500片的單價分別為1.50、1.80及2.00美元。ngtb15n120lwg、ngtb20n120lwg及ngtb25n120lwg電機驅(qū)動專用igbt每批量2,500片的單價分別為1.75、2.10及2.35美元。

  pcim  - 安森美半導體展位 - 12號館,371號展臺

  安森美半導體于5月8日至10日在pcim現(xiàn)場展示電磁爐用功率模塊及分立igbt、高能效電機驅(qū)動及太陽能變頻器等產(chǎn)品,地點為德國紐倫堡展覽中心12號館371號展位。

  關(guān)于安森美半導體

  安森美半導體(on semiconductor,美國納斯達克上市代號:onnn)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、led照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨特設(shè)計挑戰(zhàn),既快速又符合高性價比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。

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