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NLV25T-4R7J-EF

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • NLV25T-4R7J-EF
    NLV25T-4R7J-EF

    NLV25T-4R7J-EF

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • TDK Corporation

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百正品

  • NLV25T-4R7J-EF
    NLV25T-4R7J-EF

    NLV25T-4R7J-EF

  • 汕頭市潮南區(qū)海特旺電子貿(mào)易有限公司
    汕頭市潮南區(qū)海特旺電子貿(mào)易有限公司

    聯(lián)系人：陳先生

    電話：0754-84492320

    地址：廣東省汕頭市潮南區(qū)陳店鎮(zhèn)溪口九斗花園旁

  • 976000

  • TDK

  • SMD

  • 2020+

  • -

  • 進(jìn)口全新原裝正品

  • NLV25T-4R7J-EFD
    NLV25T-4R7J-EFD

    NLV25T-4R7J-EFD

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王女士

    電話：13969210552

    地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505（京北通宇）

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 4500

  • TDK

  • NA

  • 近兩年

  • -

  • 查貨可到京北通宇商城www.jbchip...

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共5條 
  • 1
NLV25T-4R7J-EF PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • TDK
  • 功能描述
  • 4.7uH }5% 175mA 2.5~2.0~1.8mm +105 -40 Mnij 2.5mm 2.0mm 1.8mm Tape & Reel
  • 制造商
  • TDK
  • 功能描述
  • Ind RF Chip Unshielded Wirewound 4.7uH 5% 7.96MHz 30Q-Factor 175mA 1008 Blister T/R
NLV25T-4R7J-EF 技術(shù)參數(shù)
  • NLV25T-470J-PF 功能描述:47μH Unshielded Wirewound Inductor 80mA 11.1 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:47μH 容差:±5% 額定電流:80mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:11.1 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:20 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:17MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV25T-470J-EFD 功能描述:47μH Unshielded Wirewound Inductor 80mA 11.1 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:47μH 容差:±5% 額定電流:80mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:11.1 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:20 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:17MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV25T-470J-EF 功能描述:47μH Unshielded Wirewound Inductor 80mA 11.1 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:47μH 容差:±5% 額定電流:80mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:11.1 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:20 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:17MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV25T-3R9J-PF 功能描述:3.9μH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 2.1 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.9μH 容差:±5% 額定電流:180mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:2.1 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:48MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV25T-3R9J-EFD 功能描述:3.9μH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 2.1 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.9μH 容差:±5% 額定電流:180mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:2.1 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:48MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV25T-5R6J-PF NLV25T-5R6J-PFD NLV25T-680J-EF NLV25T-680J-EFD NLV25T-680J-PF NLV25T-680J-PFD NLV25T-6R8J-EF NLV25T-6R8J-EFD NLV25T-6R8J-PF NLV25T-6R8J-PFD NLV25T-820J-EF NLV25T-820J-EFD NLV25T-820J-PF NLV25T-820J-PFD NLV25T-8R2J-EF NLV25T-8R2J-EFD NLV25T-8R2J-PF NLV25T-8R2J-PFD
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