NE5531079A-T1A-A

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功能描述
射頻MOSFET電源晶體管 Silicon Medium Power LDMOSFET RoHS compliant
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶體管極性
頻率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
輸出功率
100 W
汲極/源極擊穿電壓
漏極連續(xù)電流
閘/源擊穿電壓
最大工作溫度
封裝 / 箱體
NI-780-4
封裝
Tray

NE5531079A-T1A-A 技術參數

NE5517NG 功能描述:跨導放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道數量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube NE5517N 功能描述:跨導放大器 Transconductance RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道數量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube NE5517DR2G 功能描述:跨導放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道數量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube NE5517DR2 功能描述:跨導放大器 Transconductance RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道數量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube NE5517DG 功能描述:跨導放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道數量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube NE5532AN NE5532ANG NE5532AP NE5532APE4 NE5532APG4 NE5532APSR NE5532APSRE4 NE5532D NE5532D8G NE5532D8R2 NE5532D8R2G NE5532DG NE5532DG4 NE5532DR NE5532DR2G NE5532DRE4 NE5532DRG4 NE5532DX