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NE5531079A-T1A-A

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
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NE5531079A-T1A-A PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 射頻MOSFET電源晶體管 Silicon Medium Power LDMOSFET RoHS compliant
  • RoHS
  • 制造商
  • Freescale Semiconductor
  • 配置
  • Single
  • 晶體管極性
  • 頻率
  • 1800 MHz to 2000 MHz
  • 增益
  • 27 dB
  • 輸出功率
  • 100 W
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 漏極連續(xù)電流
  • 閘/源擊穿電壓
  • 最大工作溫度
  • 封裝 / 箱體
  • NI-780-4
  • 封裝
  • Tray
NE5531079A-T1A-A 技術(shù)參數(shù)
  • NE5517NG 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube NE5517N 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube NE5517DR2G 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube NE5517DR2 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube NE5517DG 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube NE5532AN NE5532ANG NE5532AP NE5532APE4 NE5532APG4 NE5532APSR NE5532APSRE4 NE5532D NE5532D8G NE5532D8R2 NE5532D8R2G NE5532DG NE5532DG4 NE5532DR NE5532DR2G NE5532DRE4 NE5532DRG4 NE5532DX
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