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參數(shù)資料
| 型號： | MW7IC2240GNR1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| 中文描述： | 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 8/24頁 |
| 文件大小： | 825K |
| 代理商： | MW7IC2240GNR1 |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MW7IC2240NR1 MW7IC2240GNR1 MW7IC2240NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 9. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power @ I
DQ1
= 90 mA
50
10
I
DQ2
= 210
mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
315 mA
10
20
30
40
60
1
I
I
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ1
= 90
mA
f1 = 2135
MHz, f2 = 2145
MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
100
Figure 10. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power @ I
DQ2
= 420 mA
50
10
I
DQ1
= 45
mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
67.5 mA
10
20
30
40
60
1
I
I
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ2
= 420
mA
f1 = 2135
MHz, f2 = 2145
MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
100
7th Order
5th Order
3rd Order
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 11. Intermodulation Distortion
Products versus Output Power
I
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ1
= 90 mA
I
DQ2
= 420 mA, f1 = 2135
MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
60
10
20
40
100
1
10
30
50
1
100
20
30
40
50
TWOTONE SPACING (MHz)
Figure 12. Intermodulation Distortion
Products versus Tone Spacing
I
10
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 40 W (PEP), I
DQ1
= 90
mA
I
DQ2
= 420 mA, TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140
MHz
IM7U
IM5U
IM5L
IM3L
IM7L
IM3U
10
60
22
54
P
in
, INPUT POWER (dBm)
49
47
45
44
11
12
Actual
Ideal
P1dB = 46.23 dBm (42 W)
48
46
13
14
Figure 13. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
P
o
,
P3dB = 57.22 dBm (52.76 W)
P6dB = 47.77 dBm (59.84 W)
50
51
52
53
15
16
17
18
19
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ1
= 90 mA, I
DQ2
= 420 mA
Pulsed CW, 12
μ
sec(on), 1% Duty Cycle
f = 2140 MHz
20
135 mA
112.5 mA
630 mA
135 mA
525 mA
90 mA
21
43
20
38
5
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ1
= 90 mA
I
DQ2
= 420 mA
f = 2140 MHz
T
C
= 30 C
25 C
85 C
30 C
10
1
32
30
28
30
20
10
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 14. Power Gain and Power Added
Efficiency versus CW Output Power
G
p
,
P
G
ps
36
34
100
50
40
PAE
25 C
85 C
26
24
22
45
35
25
15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MWA0211 | RF Amplifier |
| MWA0211L | RF Amplifier |
| MWA0211LT1 | RF Amplifier |
| MWA0304 | RF Amplifier |
| MWA0311 | RF Amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MW7IC2240NBR1 | 功能描述:射頻放大器 2170MHZ 4W TO272WB16 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MW7IC2240NR1 | 功能描述:射頻放大器 2170MHZ 4W TO270WB16 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MW7IC2425GNR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2400MHZ 4W TO270WB16G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MW7IC2425NBR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2400MHZ 4W TO270WB16G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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