參數(shù)資料
型號： MW7IC18100GNR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
中文描述： 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器
文件頁數(shù)： 18/32頁
文件大?。?/td> 938K
代理商： MW7IC18100GNR1
18
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS — 1800 MHz
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 39. Power Gain versus Output Power
28 V
32 V
200
32
0
150
27
50
G
p
,
29
100
V
DD
= 24 V
28
30
I
DQ1
= 180 mA
I
DQ2
= 1000 mA
f = 1840 MHz
Figure 40. EVM versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
P
out
= 50 W Avg.
30 W Avg.
E
2
1
4
40 W Avg.
85
55
SR @ 400 kHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 41. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Frequency
60
65
P
out
= 50 W Avg.
SR @ 600 kHz
40 W Avg.
S
T
C
= 30 C
25 C
85 C
80
40
1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 42. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
50
60
70
S
70
75
80
V
DD1
= 28 Vdc, V
DD2
= 28 Vdc
I
DQ1
= 215
mA, I
DQ2
= 815
mA
f = 1840 MHz, EDGE Modulation
10
200
T
C
= 85 C
25 C
30 C
90
50
1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 43. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
60
70
S
10
100
200
100
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 44. EVM and Power Added Efficiency
versus Output Power
200
8
14
V
DD1
= 28 Vdc
I
DQ1
= 215
mA
I
DQ2
= 800
mA
f = 1840
MHz
EDGE Modulation
12
10
0
10
1
6
20
70
40
30
0
10
PAE
85 C
E
P
T
C
= 30 C
EVM
30 W Avg.
50 W Avg.
30 W Avg.
40 W Avg.
V
DD1
= 28 Vdc
I
DQ1
= 215
mA, I
DQ2
= 800
mA
f = 1840 MHz,
EDGE Modulation
80
V
DD1
= 28 Vdc
I
DQ1
= 215
mA, I
DQ2
= 800
mA
f = 1840 MHz,
EDGE Modulation
4
2
25 C
25 C
31
0
1760
3
1780 1800
1820
1840
1860
1880
1900
1940
1920
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ1
= 215
mA, I
DQ2
= 800
mA
EDGE Modulation
1760
1780
1800
1820
1840
1860
1880
1900
1940
1920
85 C
30 C
50
60
100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MW7IC2240GNR1 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MWA0211 RF Amplifier
MWA0211L RF Amplifier
MWA0211LT1 RF Amplifier
MWA0304 RF Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MW7IC18100NBR1 功能描述:射頻放大器 HV7 1990MHZ RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MW7IC18100NR1 功能描述:射頻放大器 HV7 1990MHZ RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MW7IC2020N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF LDMOS Wideband Integrated
MW7IC2020NT1 功能描述:射頻放大器 HV7IC 2GHz 20W PQFN8X8 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MW7IC2020NT1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MW7IC2020NT1 Series 32 V 2.17 GHz RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
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