參數(shù)資料
型號： MW7IC18100GNR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
中文描述： 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器
文件頁數(shù)： 17/32頁
文件大小： 938K
代理商： MW7IC18100GNR1
MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1
17
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS — 1800 MHz
Figure 33. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power @ I
DQ1
= 180 mA
50
10
I
DQ2
= 500
mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
750 mA
10
20
30
40
200
60
1
I
I
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ1
= 180
mA
f1 = 1840
MHz, f2 = 1840.1
MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
100
1500 mA
1250 mA
1000 mA
Figure 34. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power @ I
DQ2
= 1000 mA
50
10
I
DQ1
= 90
mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
135 mA
10
20
30
40
200
60
1
I
I
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ2
= 1000
mA
f1 = 1840 MHz, f2 = 1840.1
MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
100
180 mA
225 mA
7th Order
5th Order
3rd Order
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 35. Intermodulation Distortion
Products versus Output Power
I
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ1
= 180 mA
I
DQ2
= 1000 mA, f1 = 1840
MHz, f2 = 1840.1 MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
60
0
10
20
40
100
80
1
400
10
30
50
70
0.1
10
20
30
40
50
TWOTONE SPACING (MHz)
Figure 36. Intermodulation Distortion
Products versus Tone Spacing
I
1
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 80 W (PEP), I
DQ1
= 180
mA
I
DQ2
= 1000 mA, TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1840
MHz
IM7U
IM5U
IM5L
IM3L
IM7L
IM3U
10
60
50
25
58
P
in
, INPUT POWER (dBm)
53
51
49
48
15
17
Actual
Ideal
P1dB = 50.539 dBm (113.21 W)
52
50
18
19
Figure 37. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
P
o
,
P3dB = 51.34 dBm (136.144 W)
P6dB = 51.876 dBm (154.028 W)
54
55
56
57
20
21
22
23
24
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ1
= 180 mA, I
DQ2
= 1000 mA
Pulsed CW, 12
μ
sec(on), 1% Duty Cycle
f = 1840 MHz
16
200
10
40
0
60
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ1
= 180 mA
I
DQ2
= 1000 mA
f = 1840 MHz
T
C
= 30 C
25 C
85 C
30 C
10
1
25
20
15
30
20
10
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 38. Power Gain and Power Added
Efficiency versus Output Power
G
p
,
P
G
ps
35
30
100
50
40
PAE
25 C
85 C
270 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MW7IC2240GNR1 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MWA0211 RF Amplifier
MWA0211L RF Amplifier
MWA0211LT1 RF Amplifier
MWA0304 RF Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MW7IC18100NBR1 功能描述:射頻放大器 HV7 1990MHZ RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MW7IC18100NR1 功能描述:射頻放大器 HV7 1990MHZ RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MW7IC2020N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF LDMOS Wideband Integrated
MW7IC2020NT1 功能描述:射頻放大器 HV7IC 2GHz 20W PQFN8X8 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MW7IC2020NT1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MW7IC2020NT1 Series 32 V 2.17 GHz RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
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