參數資料
型號： MW6S010MR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場效應晶體管
文件頁數： 7/16頁
文件大?。?/td> 542K
代理商： MW6S010MR1
MW6S010NR1 MW6S010GNR1 MW6S010MR1 MW6S010GMR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
210
10
8
90
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 12. MTTF Factor versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
10
7
10
6
10
5
120
140
160
180 190
M
2
)
100
200
170
150
130
110
相關PDF資料
PDF描述
MW6S010NR1 RF Power Field Effect Transistor
MW7IC18100GNR1 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MW7IC2240GNR1 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MWA0211 RF Amplifier
MWA0211L RF Amplifier
相關代理商/技術參數
參數描述
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MW6S010NR1_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MW6S-12A 制造商:TE Connectivity 功能描述:MW6S-12A = MW 6GHZ SENSITIVE H
MW6S-12P 制造商:TE Connectivity 功能描述:MW6S-12P = MW 6GHZ SENSITIVE H
MW6S-5P 制造商:TE Connectivity 功能描述:Military/Aerospace High Performance Relays 制造商:TE Connectivity 功能描述:MW6S-5P = MW 6GHZ SENSITIVE HI
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