參數(shù)資料
型號(hào)： MW6S010GNR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 10/16頁(yè)
文件大小： 542K
代理商： MW6S010GNR1
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MW6S010NR1 MW6S010GNR1 MW6S010MR1 MW6S010GMR1
Figure 15. MW6S010NR1(GNR1/MR1/GMR1) Test Circuit Component Layout — 450 MHz
MW6S010N 450 MHz
C5
C10
C6
C7
C8
C9
R6
C4
C2
C3
B1
R5
C1
R2
R1
R3
R4
T1
T2
B2
C14
C13
C15
L1
C12
C11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MW6S010MR1 RF Power Field Effect Transistor
MW6S010NR1 RF Power Field Effect Transistor
MW7IC18100GNR1 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MW7IC2240GNR1 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
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參數(shù)描述
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MW6S010NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 900MHZ 10W TO270-2N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MW6S010NR1_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MW6S-12A 制造商:TE Connectivity 功能描述:MW6S-12A = MW 6GHZ SENSITIVE H
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