參數(shù)資料
型號： MW6S010
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 8/16頁
文件大小： 542K
代理商： MW6S010
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MW6S010NR1 MW6S010GNR1 MW6S010MR1 MW6S010GMR1
f
MHz
Z
source
Z
load
800
820
840
3.1 + j1.9
2.7 + j2.2
2.8 + j1.7
10.1 + j2.3
8.3 + j2.5
8.2 + j3.3
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 125 mA, P
out
= 10 W PEP
860
880
900
3.1 + j3.4
2.9 + j3.7
3.3 + j3.8
9.8 + j4.8
10.6 + j5.6
9.5 + j5.5
920
940
960
2.8 + j4.4
3.2 + j4.9
3.0 + j4.7
10.1 + j5.9
11.0 + j6.4
11.8 + j6.6
980
3.6 + j5.2
12.1 + j7.1
Figure 13. Series Equivalent Source and Load Impedance
— 900 MHz
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
f = 800 MHz
f = 980 MHz
Z
o
= 25
f = 800 MHz
f = 980 MHz
Z
load
Z
source
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MW6S010GMR1 RF Power Field Effect Transistor
MW6S010GNR1 RF Power Field Effect Transistor
MW6S010MR1 RF Power Field Effect Transistor
MW6S010NR1 RF Power Field Effect Transistor
MW7IC18100GNR1 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MW6S010GMR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MW6S010GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 900MHZ 10W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MW6S010GNR1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MW6S010 Series 450-1500 MHz 10 W 28 V Lateral N-Ch RF Power MOSFET
MW6S010MR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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