參數(shù)資料
型號(hào)： MW6S010
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 15/16頁(yè)
文件大?。?/td> 542K
代理商： MW6S010
MW6S010NR1 MW6S010GNR1 MW6S010MR1 MW6S010GMR1
15
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TO-270-2 GULL
PLASTIC
MW6S010GNR1(GMR1)
CASE 1265A-02
ISSUE A
BOTTOM VIEW
2X
E4
E
D1
E1
D2
E3
A2
EXPOSED
HEATSINK AREA
A
B
D
H
PIN ONE ID
D
A
M
aaa
C
A
M
aaa
C
2X
b1
2X
D3
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M1994.
3. DATUM PLANE H IS LOCATED AT TOP OF LEAD
AND IS COINCIDENT WITH THE LEAD WHERE
THE LEAD EXITS THE PLASTIC BODY AT THE
TOP OF THE PARTING LINE.
4. DIMENSIONS
D1" AND
E1" DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION
IS .006 PER SIDE. DIMENSIONS
“
D1" AND
“
E1" DO
INCLUDE MOLD MISMATCH AND ARE DETER
MINED AT DATUM PLANE H.
5. DIMENSION b1 DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE .005 TOTAL IN EXCESS
OF THE b1 DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
6. DATUMS A AND B TO BE DETERMINED AT
DATUM PLANE H.
7. DIMENSIONS
D" AND
“
E2" DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION
IS .003 PER SIDE. DIMENSIONS
D" AND
E2" DO
INCLUDE MOLD MISMATCH AND ARE DETER
MINED AT DATUM PLANE D.
c1
E2
E5
A
DIM
A
A1
A2
D
D1
D2
D3
E
E1
E2
E3
E4
E5
MIN
.078
.001
.077
.416
.378
.290
.016
.316
.238
.066
.150
.058
.231
MAX
.082
.004
.088
.424
.382
.320
.024
.324
.242
.074
.180
.066
.235
MIN
1.98
0.02
1.96
10.57
9.60
7.37
0.41
8.03
6.04
1.68
3.81
1.47
5.87
MAX
2.08
0.10
2.24
10.77
9.70
8.13
0.61
8.23
6.15
1.88
4.57
1.68
5.97
MILLIMETERS
INCHES
L1
b1
c1
e
.193
.007
2
.199
.011
8
4.90
0.18
2
5.06
0.28
8
aaa
.01 BSC
.004
0.25 BSC
0.10
PIN 1
PIN 2
PIN 3
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
L
.018
.024
4.90
5.06
°
°
°
°
DETAIL Y
SEATING
PLANE
B
M
bbb
C
L1
L
A1
PLANE
e
DETAIL Y
E5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MW6S010GMR1 RF Power Field Effect Transistor
MW6S010GNR1 RF Power Field Effect Transistor
MW6S010MR1 RF Power Field Effect Transistor
MW6S010NR1 RF Power Field Effect Transistor
MW7IC18100GNR1 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MW6S010GMR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MW6S010GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 900MHZ 10W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MW6S010GNR1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MW6S010 Series 450-1500 MHz 10 W 28 V Lateral N-Ch RF Power MOSFET
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