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參數(shù)資料
| 型號： | MW6S004NT1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistor |
| 中文描述： | RF功率場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 504K |
| 代理商： | MW6S004NT1 |
MW6S004NT1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
250
10
7
90
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 12. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 4 W PEP, and
η
D
= 33%.
MTTF calculator available at http:/www.freescale.com/rf. Select Tools/
Software/Application Software/Calculators to access the MTTF calcu
lators by product.
10
6
10
5
10
4
110
130
150
170
190
M
210
230
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MW6S010 | RF Power Field Effect Transistor |
| MW6S010GMR1 | RF Power Field Effect Transistor |
| MW6S010GNR1 | RF Power Field Effect Transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MW6S004NT1_07 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
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| MW6S010GNR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 900MHZ 10W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MW6S010GNR1-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MW6S010 Series 450-1500 MHz 10 W 28 V Lateral N-Ch RF Power MOSFET |
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