參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35030R5
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
中文描述： 砷化鎵PHEMT的射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
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代理商： MRFG35030R5
MRFG35030R5
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Class AB Common Source S
Parameters at V
DD
= 12 Vdc, I
DQ
= 650 mA
S
11
GHz
|S
11
|
∠ φ
1.00
0.96
146.14
1.05
0.96
143.94
1.10
0.96
141.83
1.15
0.96
139.54
1.20
0.96
137.28
1.25
0.96
134.74
1.30
0.95
132.06
1.35
0.95
129.35
1.40
0.95
126.57
1.45
0.95
123.71
1.50
0.95
120.59
1.55
0.94
117.35
1.60
0.94
113.90
1.65
0.94
110.38
1.70
0.93
106.54
1.75
0.93
102.65
1.80
0.93
98.32
1.85
0.92
93.83
1.90
0.92
89.08
1.95
0.91
84.07
2.00
0.91
78.68
2.05
0.90
73.15
2.10
0.90
67.33
2.15
0.89
61.07
2.20
0.89
54.56
2.25
0.89
47.64
2.30
0.89
40.29
2.35
0.89
32.60
2.40
0.89
24.42
2.45
0.88
16.02
2.50
0.88
7.28
2.55
0.88
1.82
2.60
0.88
10.92
2.65
0.88
20.24
2.70
0.88
29.71
2.75
0.87
39.08
2.80
0.86
48.39
2.85
0.85
57.62
2.90
0.83
66.46
2.95
0.81
75.13
3.00
0.79
83.52
3.05
0.76
91.51
3.10
0.72
99.34
3.15
0.69
106.90
3.20
0.64
114.08
3.25
0.59
120.87
3.30
0.53
127.33
f
S
21
S
12
S
22
|S
21
|
0.80
0.80
0.80
0.80
0.80
0.80
0.81
0.82
0.84
0.86
0.89
0.92
0.95
0.99
1.03
1.08
1.14
1.19
1.26
1.32
1.39
1.46
1.54
1.62
1.71
1.80
1.89
1.99
2.09
2.20
2.30
2.40
2.49
2.58
2.66
2.73
2.79
2.84
2.89
2.93
2.98
3.02
3.06
3.11
3.17
3.24
3.31
∠ φ
26.33
22.43
18.46
14.44
10.43
6.28
2.08
2.17
6.49
10.87
15.96
20.65
25.47
30.41
35.59
41.07
46.87
53.00
59.40
66.00
72.86
79.86
87.14
94.66
102.36
110.40
118.62
127.18
135.99
145.15
154.53
164.19
174.07
175.96
165.78
155.55
145.30
135.00
124.74
114.46
104.21
93.91
83.64
73.20
62.60
51.75
40.49
|S
12
|
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
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0.01
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0.01
0.01
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0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.06
0.06
∠ φ
26.74
28.86
31.83
34.90
37.88
40.90
44.27
47.36
51.09
55.57
59.77
64.36
68.43
72.98
78.34
83.48
88.75
94.75
100.91
106.97
113.46
120.27
127.45
135.04
142.85
150.91
159.34
168.04
177.20
173.58
163.81
153.87
143.74
133.49
122.87
112.29
101.82
91.15
80.47
69.79
59.07
48.50
37.72
26.81
15.81
4.40
7.27
|S
22
|
0.88
0.88
0.88
0.88
0.88
0.88
0.88
0.87
0.86
0.85
0.84
0.83
0.82
0.80
0.79
0.78
0.77
0.76
0.75
0.73
0.72
0.70
0.68
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0.63
0.60
0.56
0.53
0.49
0.44
0.40
0.35
0.30
0.25
0.21
0.16
0.14
0.13
0.16
0.20
0.24
0.29
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55
∠ φ
164.54
162.97
161.29
159.77
158.47
157.36
156.46
155.56
154.65
153.72
151.32
150.22
149.03
147.80
146.32
144.63
142.65
140.48
138.36
136.24
134.10
132.02
130.09
127.98
125.90
123.85
121.74
119.56
117.39
115.36
113.49
111.97
111.53
112.88
117.12
126.44
143.32
165.50
175.99
164.66
158.95
156.30
155.52
156.12
157.58
160.01
163.32
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFIC0970 3.2V GSM GaAs Intergrated Power Amplifier
MRW2001F TRANSISTOR | BJT | NPN | 250MA I(C) | FO-93
MRW2010 TRANSISTOR | BJT | NPN | 2A I(C) | FO-49
MRW3001F TRANSISTOR | BJT | NPN | FO-49
MS241A-RD 0.4 TWO DIGIT NUMERIC DISPLAYS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFIC0001 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:QUADRATURE MODULATOR INTEGRATED CIRCUIT
MRFIC0903 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:ANTENNA SWITCH GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
MRFIC0904 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:900 MHz GaAs TWO STAGE DRIVER AMP INTEGRATED CIRCUIT
MRFIC0912 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:900 MHz GaAs INTEGRATED POWER AMPLIFIER
MRFIC0912R2 制造商:Motorola 功能描述:MOTOROLA
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