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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRFG35030R5 |
| 廠(chǎng)商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
| 英文描述： | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 砷化鎵PHEMT的射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 245K |
| 代理商： | MRFG35030R5 |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35030R5
Figure 7. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
3500
3550
3600
34.459 + j13.83
36.000 + j14.12
35.460 + j14.19
10.322 + j5.42
10.400 + j5.44
10.100 + j5.72
/
+0&
1
/
,&
#$%
/ ( 8=
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
7!$%
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2 /
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2 /
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