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參數資料
| 型號： | MRFG35030R5 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 砷化鎵PHEMT的射頻功率場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 245K |
| 代理商： | MRFG35030R5 |
MRFG35030R5
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
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Figure 3. Single
Carrier W
CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
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Figure 4. Single
Carrier W
CDMA Adjacent
Channel Power Ratio and Input Return Loss
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Figure 5. CCDF W
CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single
Carrier Test Signal
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Figure 6. Single-Carrier W-CDMA Spectrum
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PDF描述 |
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