參數(shù)資料
型號： MRFG35010N
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 194K
代理商： MRFG35010N
MRFG35010NT1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 6. Class AB Common Source S-Parameters at V
DS
= 12 Vdc, I
DQ
= 180 mA (continued)
S
11
GHz
|S
11
|
∠ φ
|S
21
|
2.8
0.943
150.66
0.906
2.85
0.943
149.88
0.894
2.9
0.942
149.16
0.883
2.95
0.942
148.32
0.872
3
0.943
147.41
0.862
3.05
0.942
146.51
0.853
3.1
0.940
145.45
0.842
3.15
0.940
144.41
0.833
3.2
0.941
143.33
0.823
3.25
0.938
142.25
0.814
3.3
0.939
141.15
0.804
3.35
0.939
140.02
0.795
3.4
0.938
138.89
0.785
3.45
0.938
137.88
0.776
3.5
0.939
136.68
0.767
3.55
0.938
135.63
0.757
3.6
0.938
134.63
0.748
3.65
0.939
133.60
0.739
3.7
0.938
132.68
0.729
3.75
0.937
131.84
0.720
3.8
0.937
130.92
0.711
3.85
0.938
130.07
0.702
3.9
0.938
129.29
0.694
3.95
0.939
128.60
0.686
4
0.939
127.88
0.678
4.05
0.939
127.23
0.671
4.1
0.941
126.66
0.664
4.15
0.941
126.23
0.658
4.2
0.940
125.73
0.651
4.25
0.939
125.28
0.645
4.3
0.940
124.85
0.640
4.35
0.940
124.45
0.635
4.4
0.939
124.01
0.630
4.45
0.939
123.63
0.627
4.5
0.939
123.27
0.623
4.55
0.937
122.84
0.620
4.6
0.937
122.32
0.619
4.65
0.937
121.88
0.618
4.7
0.936
121.36
0.617
4.75
0.935
120.72
0.615
4.8
0.935
120.04
0.614
4.85
0.934
119.35
0.613
4.9
0.932
118.49
0.613
4.95
0.931
117.69
0.614
5
0.929
116.74
0.614
f
S
21
S
12
S
22
∠ φ
23.27
22.02
20.80
19.56
18.28
16.96
15.64
14.29
13.00
11.67
10.32
8.97
7.61
6.26
4.96
3.67
2.34
1.04
-0.25
-1.47
-2.69
-3.89
-5.07
-6.23
-7.34
-8.46
-9.57
-10.65
-11.72
-12.82
-13.86
-14.92
-16.00
-17.01
-18.03
-19.03
-20.17
-21.26
-22.45
-23.68
-24.90
-26.12
-27.41
-28.72
-30.05
|S
12
|
0.021
0.022
0.021
0.021
0.021
0.022
0.022
0.022
0.022
0.022
0.022
0.022
0.022
0.023
0.023
0.023
0.024
0.024
0.024
0.024
0.024
0.024
0.024
0.024
0.025
0.025
0.025
0.025
0.026
0.026
0.026
0.027
0.027
0.028
0.028
0.029
0.029
0.030
0.030
0.031
0.031
0.031
0.031
0.032
0.033
∠ φ
6.42
5.21
4.17
4.03
3.53
3.11
2.65
2.43
2.48
2.48
2.08
1.99
2.11
2.05
1.79
1.56
1.02
0.44
-0.54
-1.30
-1.98
-2.38
-2.22
-2.00
-1.80
-2.04
-2.17
-2.15
-2.48
-2.81
-2.79
-2.73
-3.22
-3.26
-3.64
-3.74
-4.57
-5.02
-6.01
-7.22
-7.64
-8.05
-8.39
-8.32
-8.48
|S
22
|
0.776
0.777
0.778
0.778
0.778
0.780
0.780
0.779
0.782
0.781
0.781
0.782
0.783
0.782
0.783
0.785
0.783
0.783
0.785
0.785
0.785
0.786
0.787
0.787
0.788
0.789
0.789
0.788
0.789
0.789
0.788
0.789
0.789
0.788
0.788
0.789
0.788
0.788
0.788
0.787
0.786
0.786
0.786
0.785
0.786
∠ φ
155.80
155.28
154.81
154.25
153.67
153.18
152.64
152.04
151.43
150.92
150.33
149.74
149.19
148.72
147.97
147.40
146.88
146.20
145.61
145.17
144.52
143.87
143.24
142.61
141.94
141.34
140.69
140.01
139.31
138.65
137.91
137.16
136.45
135.67
134.88
134.16
133.36
132.50
131.67
130.83
129.91
129.03
128.20
127.24
126.32
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35010 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35030R5 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFIC0970 3.2V GSM GaAs Intergrated Power Amplifier
MRW2001F TRANSISTOR | BJT | NPN | 250MA I(C) | FO-93
MRW2010 TRANSISTOR | BJT | NPN | 2A I(C) | FO-49
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFG35010NR5 功能描述:TRANSISTOR RF 9W 12V POWER FET RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35010NT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35010R1 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35010R5 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35020AR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3.5GHZ 20W GAAS NI360 SH RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*