參數(shù)資料
型號： MRFG35010N
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 194K
代理商： MRFG35010N
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35010NT1
Table 6. Class AB Common Source S-Parameters at V
DS
= 12 Vdc, I
DQ
= 180 mA
S
11
GHz
|S
11
|
∠ φ
0.5
0.946
-177.11
0.55
0.945
-178.28
0.6
0.944
-179.44
0.65
0.945
179.50
0.7
0.945
178.60
0.75
0.944
177.66
0.8
0.945
176.74
0.85
0.945
175.95
0.9
0.944
175.17
0.95
0.945
174.36
1
0.945
173.63
1.05
0.944
172.90
1.1
0.944
172.09
1.15
0.944
171.29
1.2
0.944
170.57
1.25
0.943
169.71
1.3
0.944
168.85
1.35
0.940
168.20
1.4
0.946
167.07
1.45
0.943
166.35
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0.944
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1.55
0.943
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1.8
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159.00
1.9
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2
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2.45
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153.15
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0.946
152.54
2.7
0.945
151.98
2.75
0.943
151.22
f
S
21
S
12
S
22
|S
21
|
4.710
4.303
3.963
3.674
3.427
3.211
3.023
2.853
2.705
2.570
2.447
2.337
2.234
2.139
2.052
1.971
1.894
1.823
1.754
1.691
1.626
1.573
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1.310
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1.127
1.102
1.079
1.058
1.037
1.019
1.002
0.986
0.971
0.957
0.943
0.930
0.918
∠ φ
82.28
80.79
79.23
77.69
76.28
74.83
73.24
71.74
70.36
68.88
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54.75
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45.88
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41.23
40.16
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37.97
36.90
35.82
34.70
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32.54
31.44
30.35
29.28
28.12
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25.73
24.52
|S
12
|
0.016
0.016
0.016
0.016
0.016
0.016
0.017
0.017
0.017
0.017
0.017
0.017
0.017
0.017
0.017
0.017
0.017
0.017
0.017
0.018
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0.017
0.017
0.018
0.017
0.018
0.018
0.018
0.018
0.018
0.018
0.018
0.018
0.018
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0.019
0.019
0.019
0.019
0.019
0.019
0.019
0.020
0.020
0.020
0.021
∠ φ
8.19
7.57
7.60
7.44
7.44
7.21
7.65
7.16
7.34
7.31
7.08
7.29
7.56
7.46
7.43
7.47
7.28
7.56
7.92
7.59
7.06
7.24
7.48
7.46
7.46
7.84
7.89
7.97
7.87
7.89
7.61
7.78
7.65
7.40
7.22
6.98
7.24
7.52
7.60
7.49
7.69
8.05
8.01
8.01
7.82
7.27
|S
22
|
0.759
0.758
0.758
0.758
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0.757
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0.756
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0.755
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0.756
0.756
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0.757
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0.773
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0.777
0.776
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0.778
∠ φ
-179.39
-179.99
179.39
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