參數(shù)資料
型號： MRFG35010N
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 194K
代理商： MRFG35010N
MRFG35010NT1
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistor
Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies
from 1.8 to 3.6 GHz. This device is unmatched and is suitable for use in Class
AB linear base station applications.
Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,
I
DQ
= 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A
@ 0.01% Probability)
Output Power — 900 mW
Power Gain — 10 dB
Efficiency — 28%
9 Watts P1dB @ 3.55 GHz
Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
High Gain, High Efficiency and High Linearity
N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
V
DSS
15
Vdc
Total Device Dissipation @ T
C
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
22.7
(2)
0.15
(2)
W
W/
°
C
Gate-Source Voltage
V
GS
-5
Vdc
RF Input Power
P
in
33
dBm
Storage Temperature Range
T
stg
-65 to +150
°
C
Channel Temperature
(1)
T
ch
175
°
C
Operating Case Temperature Range
T
C
-20 to +85
°
C
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θ
JC
6.6
(2)
°
C/W
Table 3. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
1
260
°
C
1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150
°
C.
2. Simulated.
Document Number: MRFG35010N
Rev. 6, 2/2006
Freescale Semiconductor
Technical Data
3.5 GHz, 9 W, 12 V
POWER FET
GaAs PHEMT
MRFG35010NT1
CASE 466-03, STYLE 1
PLD-1.5
PLASTIC
Freescale Semiconductor, Inc., 2006. All rights reserved.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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