參數(shù)資料
型號： MRFG35010AR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
中文描述： 砷化鎵PHEMT的射頻功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 8/20頁
文件大?。?/td> 431K
代理商： MRFG35010AR1
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35010AR1
Table 5. Class AB Common Source S-Parameters (V
DD
= 12 Vdc, I
DQ
= 1000 mA, T
C
= 25
°
C, 50 ohm system)
S
11
S
21
GHz
|S
11
|
∠ φ
|S
21
|
0.25
0.959
-171.4
9.867
0.30
0.959
-173.7
8.220
0.35
0.956
-175.6
7.055
0.40
0.959
-177.2
6.192
0.45
0.959
-178.5
5.509
0.50
0.959
-179.6
4.969
0.55
0.959
179.3
4.525
0.60
0.959
178.4
4.157
0.65
0.958
177.5
3.844
0.70
0.958
176.7
3.578
0.75
0.958
175.8
3.347
0.80
0.958
175.1
3.147
0.85
0.958
174.3
2.971
0.90
0.957
173.5
2.814
0.95
0.957
172.9
2.675
1.00
0.957
172.2
2.551
1.05
0.958
171.5
2.439
1.10
0.956
170.9
2.336
1.15
0.956
170.1
2.244
1.20
0.956
169.5
2.159
1.25
0.955
168.8
2.083
1.30
0.955
168.1
2.013
1.35
0.955
167.5
1.948
1.40
0.954
166.8
1.888
1.45
0.954
166.2
1.832
1.50
0.953
165.5
1.779
1.55
0.953
164.8
1.730
1.60
0.952
164.1
1.683
1.65
0.953
163.2
1.641
1.70
0.952
162.6
1.598
1.75
0.951
161.8
1.559
1.80
0.952
161.0
1.517
1.85
0.948
161.6
1.549
1.90
0.947
160.9
1.521
1.95
0.947
160.3
1.494
2.00
0.945
159.5
1.470
2.05
0.945
158.9
1.447
2.10
0.945
158.1
1.426
2.15
0.944
157.5
1.407
2.20
0.943
156.8
1.389
2.25
0.942
156.0
1.371
2.30
0.941
155.2
1.355
2.35
0.939
154.6
1.341
2.40
0.939
153.8
1.328
2.45
0.937
153.0
1.316
f
S
12
S
22
∠ φ
89.9
87.6
85.6
83.8
82.2
80.6
79.0
77.6
76.2
74.8
73.4
72.0
70.7
69.4
68.1
66.8
65.4
64.2
62.8
61.6
60.3
59.0
57.7
56.5
55.2
53.9
52.6
51.3
50.1
48.9
47.6
46.4
44.6
43.3
42.0
40.7
39.4
38.0
36.7
35.4
34.0
32.7
31.3
29.9
28.6
|S
12
|
0.0083
0.0086
0.0083
0.0088
0.0089
0.0089
0.0091
0.0094
0.0095
0.0098
0.0099
0.0103
0.0107
0.0108
0.0111
0.0114
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0.0126
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0.0204
0.0209
0.0215
0.0220
0.0226
0.0234
0.0238
0.0245
∠ φ
16.6
18.3
19.5
20.0
22.4
22.7
23.9
26.0
26.9
28.0
29.2
30.6
31.6
32.0
33.0
33.8
34.1
34.7
35.5
35.3
35.9
36.1
36.7
36.9
37.4
37.8
37.4
38.1
37.7
37.8
37.9
37.9
37.5
37.3
37.2
37.2
36.9
36.4
36.4
36.0
35.9
35.5
34.9
34.2
34.3
|S
22
|
0.784
0.784
0.784
0.783
0.782
0.781
0.781
0.780
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0.779
0.778
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0.776
0.776
0.775
0.774
0.774
0.773
0.773
0.772
0.772
0.772
0.771
0.771
0.770
0.770
0.769
0.769
0.769
0.769
0.769
0.769
0.760
0.759
0.757
0.756
0.754
0.754
0.752
0.751
0.749
0.749
0.745
0.744
0.742
∠ φ
-178.9
-179.6
179.7
179.2
178.7
178.2
177.8
177.4
177.0
176.7
176.3
176.0
175.6
175.3
174.9
174.6
174.3
173.9
173.6
173.2
173.0
172.6
172.3
171.9
171.7
171.4
171.1
170.9
170.6
170.5
170.3
170.3
167.3
166.8
166.4
165.9
165.6
165.1
164.7
164.2
163.8
163.2
162.9
162.5
162.1
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MRFG35010MR5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRFG35010MT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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