參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35010AR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
中文描述： 砷化鎵PHEMT的射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/20頁(yè)
文件大?。?/td> 431K
代理商： MRFG35010AR1
MRFG35010AR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 1. 3.5 GHz Test Circuit Schematic
Z9, Z10
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
PCB
0.290
″
x 90
°
Microstrip Radial Stub
0.184
″
x 0.390
″
Microstrip
0.040
″
x 0.580
″
Microstrip
0.109
″
x 0.099
″
Microstrip
0.030
″
x 0.225
″
Microstrip
0.080
″
x 0.240
″
Microstrip
0.044
″
x 0.143
″
Microstrip
Rogers 4350, 0.020
″
,
ε
r
= 3.5
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8, Z11
0.044
″
x 0.250
″
Microstrip
0.044
″
x 0.030
″
Microstrip
0.615
″
x 0.050
″
Microstrip
0.044
″
x 0.070
″
Microstrip
0.270
″
x 0.490
″
Microstrip
0.044
″
x 0.470
″
Microstrip
0.434
″
x 0.110
″
Microstrip
0.015
″
x 0.527
″
Microstrip
RF
INPUT
RF
OUTPUT
R1
C8
C7
C6
C5
C12
C11
C10
C9
C4
Z8
C17
Z1
Z2
Z3
Z5
Z6
Z7
Z12
Z13
Z14
Z17
V
SUPPLY
V
BIAS
Z4
Z15
Z16
C3
C2
Z9
C1
C14
C15
C16
Z10
Z11
R2
C13
Table 4. 3.5 GHz Test Circuit Component Designations and Values
Part
C1, C17
6.8 pF Chip Capacitors
C2, C16
10 pF Chip Capacitors
C3, C15
100 pF Chip Capacitors
C4, C13, C14
100 pF Chip Capacitors
C5, C12
1000 pF Chip Capacitors
C6, C11
0.1
μ
F Chip Capacitors
C7, C10
39K Chip Capacitors
C8, C9
10
μ
F, 50 V Chip Capacitors
R1, R2
50
Ω
Chip Resistors
Description
Part Number
Manufacturer
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
Murata
Newark
100A6R81BW150XT
100A100JW150XT
100A101JW150XT
100B101JW500XT
100B102JW500XT
200B104KW50XT
200B393KW50XT
GRM55DR61H106KA88B
P51ETR-ND
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35010N RF Power Field Effect Transistor
MRFG35010 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35030R5 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFIC0970 3.2V GSM GaAs Intergrated Power Amplifier
MRW2001F TRANSISTOR | BJT | NPN | 250MA I(C) | FO-93
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFG35010AR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010MR5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRFG35010MT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35010N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRFG35010NR5 功能描述:TRANSISTOR RF 9W 12V POWER FET RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*