參數資料
型號： MRFG35010AR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
中文描述： 砷化鎵PHEMT的射頻功率場效應晶體管
文件頁數： 19/20頁
文件大?。?/td> 431K
代理商： MRFG35010AR1
MRFG35010AR1
19
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 360D-02
ISSUE C
NI-360HF
G
E
N (LID)
C
SEATING
PLANE
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
K
M
N
Q
R
S
aaa
bbb
ccc
MIN
.795
.225
.125
.034
.055
.004
.562 BSC
.077
.085
.355
.355
.125
.225
.225
.005
.010
.015
MAX
.805
.235
.176
.044
.065
.006
MIN
20.19
5.72
3.18
0.89
1.40
0.10
14.28 BSC
1.96
2.16
9.02
9.96
3.18
5.72
5.72
0.13
0.25
0.38
MAX
20.45
5.97
4.47
1.12
1.65
0.15
MILLIMETERS
INCHES
.087
.115
.365
.365
.135
.235
.235
2.21
2.92
9.27
10.16
3.43
5.97
5.97
STYLE 1:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
1
2
3
bbb
2 x
M
A
M
B
M
T
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M1994.
3. DIMENSION H IS MEASURED .030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
M
A
M
bbb
B
M
T
S
(INSULATOR)
K
2 x
B
(FLANGE)
D
A
2 x
M
M
bbb
B
M
T
B
M
A
M
ccc
B
M
T
H
R (LID)
F
M
A
M
ccc
B
M
T
T
A
A
M
M
A
M
aaa
B
M
T
(INSULATOR)
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PDF描述
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