參數(shù)資料
型號： MRFG35010ANT1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： Gallium Arsenide PHEMT
中文描述： 砷化鎵PHEMT器件
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大?。?/td> 260K
代理商： MRFG35010ANT1
MRFG35010ANT1
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 6. Class AB Common Source S-Parameters (V
DD
= 12 Vdc, I
DQ
= 130 mA, T
C
= 25
°
C, 50 ohm system)
(continued)
f
S
11
S
21
S
12
S
22
GHz
2.8
2.85
2.9
2.95
3
3.05
3.1
3.15
3.2
3.25
3.3
3.35
3.4
3.45
3.5
3.55
3.6
3.65
3.7
3.75
3.8
3.85
3.9
3.95
4
4.05
4.1
4.15
4.2
4.25
4.3
4.35
4.4
4.45
4.5
4.55
4.6
4.65
4.7
4.75
4.8
4.85
4.9
4.95
5
|S
11
|
0.943
0.943
0.942
0.939
0.942
0.941
0.939
0.939
0.938
0.941
0.937
0.936
0.935
0.937
0.934
0.934
0.933
0.931
0.933
0.933
0.933
0.931
0.928
0.925
0.921
0.920
0.918
0.923
0.919
0.922
0.924
0.926
0.926
0.926
0.926
0.925
0.924
0.924
0.922
0.921
0.919
0.917
0.916
0.914
0.912
∠ φ
153.02
152.31
151.61
150.84
150.15
149.40
148.59
147.75
146.97
145.84
145.28
144.36
143.56
142.81
141.86
140.99
140.12
139.20
138.37
137.48
136.55
135.57
134.64
133.78
133.05
132.39
131.72
130.82
129.91
129.26
128.37
127.34
126.32
125.27
124.13
123.09
122.08
120.81
119.61
118.44
117.22
115.94
114.60
113.24
111.82
|S
21
|
0.796
0.788
0.781
0.775
0.768
0.761
0.757
0.751
0.747
0.743
0.736
0.733
0.728
0.724
0.719
0.716
0.711
0.708
0.704
0.700
0.696
0.693
0.689
0.685
0.682
0.678
0.675
0.673
0.669
0.666
0.664
0.662
0.658
0.658
0.657
0.654
0.654
0.654
0.653
0.654
0.654
0.653
0.655
0.657
0.657
∠ φ
25.46
24.29
23.11
22.01
20.75
19.55
18.31
17.03
15.68
14.42
12.96
11.56
10.18
8.84
7.37
6.03
4.58
3.03
1.61
0.20
-1.33
-2.73
-4.11
-5.62
-7.05
-8.42
-9.92
-11.37
-12.78
-14.22
-15.61
-16.92
-18.36
-19.76
-21.11
-22.50
-23.83
-25.14
-26.55
-27.97
-29.30
-30.70
-32.19
-33.61
-35.10
|S
12
|
0.022
0.022
0.022
0.022
0.022
0.023
0.023
0.023
0.023
0.023
0.023
0.023
0.024
0.024
0.024
0.024
0.025
0.025
0.025
0.025
0.026
0.026
0.026
0.026
0.026
0.027
0.027
0.027
0.028
0.028
0.028
0.029
0.029
0.029
0.030
0.030
0.030
0.031
0.031
0.032
0.032
0.032
0.033
0.033
0.034
∠ φ
-13.75
-14.19
-14.81
-15.38
-15.83
-16.06
-16.58
-17.33
-17.60
-18.35
-18.68
-19.36
-19.65
-19.96
-19.70
-19.69
-20.44
-21.24
-22.19
-22.67
-23.74
-24.10
-24.28
-24.60
-25.13
-25.07
-25.69
-26.05
-26.99
-27.58
-28.51
-28.82
-29.48
-29.54
-30.12
-30.82
-31.17
-31.73
-32.31
-33.11
-33.53
-34.28
-34.59
-34.92
-35.27
|S
22
|
0.794
0.794
0.792
0.791
0.792
0.787
0.789
0.788
0.786
0.789
0.785
0.780
0.780
0.781
0.775
0.776
0.773
0.768
0.769
0.767
0.763
0.765
0.767
0.765
0.769
0.772
0.767
0.766
0.768
0.762
0.764
0.761
0.756
0.759
0.758
0.753
0.755
0.754
0.750
0.752
0.751
0.747
0.748
0.748
0.743
∠ φ
154.30
153.85
153.42
153.00
152.55
152.10
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143.47
142.22
141.01
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120.35
119.79
119.03
118.53
118.03
117.16
116.59
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MRFG35010N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
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