參數(shù)資料
型號： MRFG35010
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
中文描述： 砷化鎵PHEMT的射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 235K
代理商： MRFG35010
6
Freescale Semiconductor
Wireless RF Product Device Data
MRFG35010
f
MHz
Z
source
Z
load
3500
3550
3600
4.3
j16.3
4.1
j15.8
4.2
j16.0
5.7
j7.0
5.7
j6.8
5.7
j6.6
%
1)%
"#$
&
Figure 6. Series Equivalent Source and Load Impedance
"
:";,
2
634
2
634
2
634
2
634
!"#<0
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
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6;$0=89>
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35030R5 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFIC0970 3.2V GSM GaAs Intergrated Power Amplifier
MRW2001F TRANSISTOR | BJT | NPN | 250MA I(C) | FO-93
MRW2010 TRANSISTOR | BJT | NPN | 2A I(C) | FO-49
MRW3001F TRANSISTOR | BJT | NPN | FO-49
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFG35010ANR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010ANT1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010AR1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010AR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010MR5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
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