參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35010
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
中文描述： 砷化鎵PHEMT的射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 235K
代理商： MRFG35010
MRFG35010
3
Freescale Semiconductor
Wireless RF Product Device Data
Figure 1. 3.4
3.6 GHz Single Supply Bias Sequencing Test Circuit Schematic
C1, C21
C2, C20
C3, C19
C4, C18
C5, C10, C16, C17
C6, C11, C12, C15
C7, C14
C8, C13
C9
D1
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8, R9
6.8 pF Chip Capacitors, ATC
10 pF Chip Capacitors, ATC
100 pF Chip Capacitors, ATC
100 pF Chip Capacitors, ATC
1000 pF Chip Capacitors, ATC
0.1
μ
F Chip Capacitors, ATC
39K Chip Capacitors, ATC
22
μ
F Tantalum Chip Capacitors
6.8
μ
F Tantalum Chip Capacitor
5.1 V Zener Diode, MA8051CT
ND
22.1 k
,
1/4 W 1%, Chip Resistor
5K Trim Pot, #3224W
1
502E
12 k
,
1/4 W 1%, Chip Resistor
100 k
,
1/4 W 1%, Chip Resistor
39 k
,
1/4 W 1%, Chip Resistor
10
,
1/4 W 1%, Chip Resistor
2.2 k
,
1/4 W 1%, Chip Resistor
50
,
1/4 W 1%, Chip Resistors
U1
Q1
PCB
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8, Z11
Z9, Z10
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Voltage Converter, LTC 1261
Switch, MTP23P06V
Rogers RO4350, 0.020
″
,
ε
r
= 3.50
0.044
″
x 0.250
″
Microstrip
0.044
″
x 0.030
″
Microstrip
0.615
″
x 0.050
″
Microstrip
0.044
″
x 0.070
″
Microstrip
0.270
″
x 0.490
″
Microstrip
0.044
″
x 0.470
″
Microstrip
0.434
″
x 0.110
″
Microstrip
0.015
″
x 0.527
″
Microstrip
0.290
″
x 90
°
Microstrip Radial Stub
0.184
″
x 0.390
″
Microstrip
0.040
″
x 0.580
″
Microstrip
0.109
″
x 0.099
″
Microstrip
0.030
″
x 0.225
″
Microstrip
0.080
″
x 0.240
″
Microstrip
0.044
″
x 0.143
″
Microstrip
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35030R5 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFIC0970 3.2V GSM GaAs Intergrated Power Amplifier
MRW2001F TRANSISTOR | BJT | NPN | 250MA I(C) | FO-93
MRW2010 TRANSISTOR | BJT | NPN | 2A I(C) | FO-49
MRW3001F TRANSISTOR | BJT | NPN | FO-49
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MRFG35010ANT1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010AR1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010AR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010MR5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
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