參數(shù)資料
型號： MRFG35005NT1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
中文描述： 砷化鎵PHEMT的射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 7/12頁
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代理商： MRFG35005NT1
MRFG35005NT1 MRFG35005MT1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 6. Class AB Common Source S-Parameters at V
DS
= 12 Vdc, I
DQ
= 85 mA (continued)
S
11
GHz
|S
11
|
∠ φ
|S
21
|
2.85
0.895
138.63
1.522
2.90
0.893
137.48
1.507
2.95
0.893
136.05
1.493
3.00
0.894
134.72
1.478
3.05
0.892
133.46
1.465
3.10
0.890
131.81
1.453
3.15
0.892
130.31
1.436
3.20
0.891
128.98
1.421
3.25
0.888
127.31
1.409
3.30
0.890
125.83
1.394
3.35
0.889
124.49
1.380
3.40
0.887
122.78
1.367
3.45
0.889
121.40
1.352
3.50
0.888
119.96
1.338
3.55
0.887
118.32
1.328
3.60
0.888
116.96
1.313
3.65
0.887
115.68
1.299
3.70
0.887
114.24
1.287
3.75
0.887
113.05
1.274
3.80
0.888
111.84
1.262
3.85
0.888
110.59
1.252
3.90
0.887
109.45
1.240
3.95
0.888
108.32
1.230
4.00
0.887
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1.222
4.05
0.886
106.10
1.216
4.10
0.887
105.02
1.205
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0.886
104.22
1.198
4.20
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103.08
1.195
4.25
0.885
102.00
1.189
4.30
0.885
101.08
1.184
4.35
0.884
100.08
1.183
4.40
0.883
98.90
1.176
4.45
0.882
97.99
1.172
4.50
0.881
96.91
1.176
4.55
0.880
95.41
1.172
4.60
0.879
94.29
1.172
4.65
0.878
92.80
1.177
4.70
0.877
91.10
1.175
4.75
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89.66
1.176
4.80
0.874
87.90
1.178
4.85
0.874
86.08
1.177
4.90
0.870
84.39
1.175
4.95
0.867
82.48
1.177
5.00
0.866
80.32
1.179
f
S
21
S
12
S
22
∠ φ
11.37
9.90
8.24
6.55
4.95
3.30
1.60
0.04
-1.72
-3.40
-4.89
-6.59
-8.31
-9.91
-11.56
-13.16
-14.69
-16.36
-17.90
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-31.44
-33.00
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-39.19
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-47.87
-49.70
-51.58
-53.56
-55.56
-57.53
-59.75
|S
12
|
0.034
0.034
0.034
0.034
0.034
0.034
0.034
0.034
0.034
0.034
0.034
0.034
0.034
0.035
0.035
0.035
0.036
0.036
0.036
0.036
0.036
0.036
0.036
0.036
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0.037
0.037
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0.038
0.038
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0.039
0.039
0.040
0.040
0.040
0.041
0.042
0.042
0.042
0.042
0.042
0.043
0.043
∠ φ
-24.77
-26.15
-27.11
-27.92
-28.51
-29.31
-29.98
-30.69
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-33.59
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-60.39
|S
22
|
0.618
0.618
0.616
0.618
0.617
0.616
0.616
0.617
0.615
0.616
0.616
0.615
0.615
0.616
0.615
0.613
0.613
0.612
0.612
0.613
0.613
0.612
0.613
0.612
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0.611
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0.608
0.605
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0.607
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0.594
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0.589
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0.583
∠ φ
152.46
151.97
150.93
150.06
149.53
148.45
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113.89
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110.76
109.40
107.71
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PDF描述
MRFG35010ANT1 Gallium Arsenide PHEMT
MRFG35010AR1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
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MRFG35030R5 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
MRFG35010 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35010ANR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010ANT1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010AR1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010AR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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