參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35005NT1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
中文描述： 砷化鎵PHEMT的射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大小： 125K
代理商： MRFG35005NT1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35005NT1 MRFG35005MT1
Table 6. Class AB Common Source S-Parameters at V
DS
= 12 Vdc, I
DQ
= 85 mA
S
11
GHz
|S
11
|
∠ φ
0.50
0.903
-171.71
0.55
0.903
-173.53
0.60
0.901
-175.37
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0.901
-177.11
0.70
0.902
-178.58
0.75
0.900
179.95
0.80
0.901
178.58
0.85
0.901
177.36
0.90
0.899
176.17
0.95
0.899
174.93
1.00
0.901
173.84
1.05
0.900
172.74
1.10
0.899
171.57
1.15
0.900
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1.20
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169.31
1.25
0.898
168.10
1.30
0.901
166.96
1.35
0.897
165.99
1.40
0.903
164.48
1.45
0.901
163.52
1.50
0.900
160.23
1.55
0.900
159.17
1.60
0.899
158.30
1.65
0.902
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1.70
0.903
156.46
1.75
0.902
155.63
1.80
0.903
154.92
1.85
0.904
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1.90
0.904
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1.95
0.903
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2.00
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2.55
0.901
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2.60
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2.65
0.899
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2.70
0.898
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2.75
0.894
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2.80
0.895
139.70
f
S
21
S
12
S
22
|S
21
|
7.441
6.807
6.268
5.817
5.441
5.096
4.804
4.516
4.293
4.089
3.900
3.730
3.567
3.423
3.284
3.154
3.040
2.928
2.821
2.720
2.618
2.537
2.456
2.386
2.317
2.251
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2.137
2.080
2.030
1.984
1.937
1.897
1.860
1.822
1.788
1.761
1.729
1.701
1.677
1.651
1.632
1.612
1.591
1.571
1.554
1.539
∠ φ
83.44
81.55
79.64
77.76
75.93
74.17
72.37
70.46
68.89
67.19
65.58
63.88
62.18
60.54
58.91
57.19
55.59
54.05
52.41
50.95
49.25
47.79
46.40
44.91
43.49
41.97
40.59
39.12
37.80
36.43
34.98
33.71
32.47
31.10
29.77
28.49
27.10
25.78
24.47
22.98
21.58
20.17
18.88
17.38
15.88
14.50
12.83
|S
12
|
0.029
0.030
0.030
0.030
0.030
0.030
0.030
0.030
0.030
0.030
0.030
0.030
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.030
0.030
0.030
0.030
0.030
0.030
0.030
0.030
0.030
0.030
0.030
0.030
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.032
0.032
0.032
0.033
0.033
∠ φ
4.18
3.31
2.49
1.53
0.64
-0.21
-0.90
-1.80
-2.30
-3.17
-4.01
-4.63
-5.38
-6.01
-6.66
-7.52
-8.14
-8.73
-9.30
-9.89
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-11.27
-11.82
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|S
22
|
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0.602
0.602
0.602
0.600
0.600
0.600
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0.600
0.600
0.600
0.600
0.601
0.601
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0.602
0.600
0.606
0.606
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0.609
0.609
0.610
0.613
0.612
0.613
0.615
0.615
0.615
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0.617
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0.620
0.620
0.620
0.619
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0.619
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0.619
0.618
0.616
∠ φ
-171.44
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169.38
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156.02
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154.49
154.05
153.08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35010ANT1 Gallium Arsenide PHEMT
MRFG35010AR1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35010N RF Power Field Effect Transistor
MRFG35010 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35030R5 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFG35010 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35010ANR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010ANT1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010AR1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010AR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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