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參數(shù)資料
| 型號： | MRFG35005NT1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 砷化鎵PHEMT的射頻功率場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | MRFG35005NT1 |
MRFG35005NT1 MRFG35005MT1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Z11
Z12
Z13
Z14
Z16
Z17
PCB
0.400
″
x 0.081
″
Microstrip
0.120
″
x 0.408
″
Microstrip
0.259
″
x 0.058
″
Microstrip
0.269
″
x 0.348
″
Microstrip
0.149
″
x 0.062
″
Microstrip
0.553
″
x 0.044
″
Microstrip
Rogers 4350, 20 mil,
ε
r
= 3.5
Figure 1. 3.5 GHz Test Circuit Schematic
Z1, Z18
Z2
Z3
Z4
Z5, Z15
Z6, Z8, Z10
Z7, Z9
0.125
″
x 0.044
″
Microstrip
0.435
″
x 0.044
″
Microstrip
0.298
″
x 0.254
″
Microstrip
0.336
″
x 0.590
″
Microstrip
0.527
″
x 0.015
″
Microstrip
0.050
″
x 0.025
″
Microstrip
0.125
″
x 0.025
″
Microstrip
C11
RF
INPUT
RF
OUTPUT
R1
C10
C9
C8
C7
C6
C5
C16
C17
C18
C19
C20
C21
C22
C3 C4
C14 C15
Z5
Z15
C2
C12
C23
C25
C27
C29
C1
C24
Z1
Z2
Z3
Z4
Z10
Z11
Z12 Z13 Z14
Z16
Z17
Z18
V
DD
V
GS
C13
C26
Z9
Z8
Z6 Z7
C28
Table 5. 3.5 GHz Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Part Number
100A7R5JP150X
08051J0R4BBT
08051J3R9BBT
100A100JP500X
100A101JP500X
100B101JP500X
100B102JP500X
Manufacturer
ATC
AVX
AVX
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
Newark
AVX
AVX
AVX
AVX
AVX
Newark
C1, C24
C2
C3, C4, C14, C15
C5, C16
C6, C17
C7, C18
C8, C19
C9, C20
C10, C21
C11, C22
C12, C28
C13, C26, C27
C23
C25
C29
R1
7.5 pF Chip Capacitors
0.4 pF Chip Capacitor (0805)
3.9 pF Chip Capacitors (0805)
10 pF Chip Capacitors
100 pF Chip Capacitors
100 pF Chip Capacitors
1000 pF Chip Capacitors
3.9
μ
F Chip Capacitors
0.1
μ
F Chip Capacitors
22
μ
F, 35 V Tantalum Surface Mount Capacitors
0.1 pF Chip Capacitors (0805)
0.3 pF Chip Capacitors (0805)
1.0 pF Chip Capacitor (0805)
1.2 pF Chip Capacitor (0805)
0.9 pF Chip Capacitor (0805)
100 Chip Resistor
08051J0R1BBT
08051J0R3BBT
08051J1R0BBT
08051J1R2BBT
08051J0R9BBT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35010ANT1 | Gallium Arsenide PHEMT |
| MRFG35010AR1 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
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| MRFG35010 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
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參數(shù)描述 |
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| MRFG35010ANT1 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| MRFG35010AR1 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| MRFG35010AR5 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
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