參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35005NT1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
中文描述： 砷化鎵PHEMT的射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 125K
代理商： MRFG35005NT1
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35005NT1 MRFG35005MT1
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(V
DS
= 3.5 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
1.7
—
Adc
Off State Leakage Current
(V
GS
= -0.4 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
< 1.0
100
μ
Adc
Off State Drain Current
(V
DS
= 12 Vdc, V
GS
= -2.5 Vdc)
I
DSO
—
—
600
μ
Adc
Off State Current
(V
DS
= 28.5 Vdc, V
GS
= -2.5 Vdc)
I
DSX
—
< 1.0
9
mAdc
Gate-Source Cut-off Voltage
(V
DS
= 3.5 Vdc, I
DS
= 8.7 mA)
V
GS(th)
-1.2
-0.9
-0.7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(V
DS
= 12 Vdc, I
D
= 105 mA)
V
GS(Q)
-1.1
-0.8
-0.6
Vdc
Power Gain
(V
DD
= 12 Vdc, I
DQ
= 80 mA, f = 3.55 GHz)
G
ps
10
11
—
dB
Output Power, 1 dB Compression Point
(V
DD
= 12 Vdc, I
DQ
= 80 mA, f = 3.55 GHz)
P
1dB
—
4.5
—
W
Drain Efficiency
(V
DD
= 12 Vdc, I
DQ
= 80 mA, P
out
= 450 mW Avg.,
f = 3.55 GHz)
D
22
25
—
%
Adjacent Channel Power Ratio
(V
DD
= 12 Vdc, P
out
= 450 mW Avg., I
DQ
= 80 mA,
f = 3.55 GHz, W-CDMA, 8.5 P/A @ 0.01% Probability,
64 CH, 3.84 MCPS)
ACPR
—
-42
-39
dBc
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35010ANT1 Gallium Arsenide PHEMT
MRFG35010AR1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35010N RF Power Field Effect Transistor
MRFG35010 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35030R5 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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