參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35003MT1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT
中文描述： 射頻參考設(shè)計(jì)庫砷化鎵PHEMT器件
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 107K
代理商： MRFG35003MT1
4
RF Reference Design Data
Freescale Semiconductor
MRFG35003NT1 MRFG35003MT1 BWA
CHARACTERISTICS
1
4
18
0.1
10
45
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 3. Transducer Gain and Power Added
Efficiency versus Output Power
GT
P
G
T
PAE
MRFG35003M @ 2.5 GHz
V
DS
= 12 Vdc, I
DQ
= 55 mA
f = 2.5 GHz, 8.5 P/A 3GPP WCDMA
Γ
S
= 0.857
136.97
Γ
L
= 0.681
178.94
16
40
14
35
12
30
10
25
8
20
6
15
1
60
0
0.1
60
0
IRL
ACPR
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 4. W-CDMA ACPR and Input Return
Loss versus Output Power
I
A
MRFG35003M @ 2.5 GHz
V
DS
= 12 Vdc, I
DQ
= 55 mA
f = 2.5 GHz, 8.5 P/A 3GPP WCDMA
Γ
S
= 0.857
136.97 ,
Γ
L
= 0.681
178.94
10
10
20
20
30
30
40
40
50
50
NOTE:
Data in Figures 3 and 4 is generated from load pull, not from the test circuit shown.
NOTE:
Data in Figures 5 and 6 is generated from the test circuit shown.
1
6
16
0.01
0
50
G
T
PAE
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 5. Transducer Gain and Power Added
Efficiency versus Output Power
GT
P
MRFG35003M @ 2.45 GHz
V
DS
= 12 Vdc, I
DQ
= 55 mA
8.5 P/A 3GPP WCDMA
0.1
14
40
12
30
10
20
8
10
1
60
0
0.01
60
0
IRL
ACPR
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 6. W-CDMA ACPR and Input Return
Loss versus Output Power
I
A
MRFG35003M @ 2.45 GHz
V
DS
= 12 Vdc, I
DQ
= 55 mA
8.5 P/A 3GPP WCDMA
0.1
10
10
20
20
30
30
40
40
50
50
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PDF描述
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