參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35002N6T1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
中文描述： 砷化鎵PHEMT的射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 9/12頁(yè)
文件大?。?/td> 221K
代理商： MRFG35002N6T1
MRFG35002N6T1
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 6. Class AB Common Source S-Parameters at V
DS
= 6 Vdc, I
DQ
= 65 mA (continued)
S
11
GHz
|S
11
|
∠ φ
|S
21
|
5.10
0.826
62.21
1.31
5.15
0.824
59.75
1.31
5.20
0.821
57.08
1.31
5.25
0.819
54.50
1.31
5.30
0.818
51.91
1.32
5.35
0.815
49.24
1.32
5.40
0.814
46.40
1.32
5.45
0.812
43.69
1.32
f
S
21
S
12
S
22
∠ φ
-70.79
-73.33
-75.85
-78.30
-80.93
-83.65
-86.36
-89.16
|S
12
|
0.0583
0.0592
0.0596
0.0605
0.0610
0.0617
0.0626
0.0629
∠ φ
-95.6
-97.5
-99.5
-101.5
-103.7
-105.8
-108.2
-110.5
|S
22
|
0.528
0.524
0.519
0.516
0.512
0.510
0.506
0.501
∠ φ
77.0
74.7
72.3
70.0
67.4
64.6
61.9
59.0
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PDF描述
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