參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35002N6T1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
中文描述： 砷化鎵PHEMT的射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大?。?/td> 221K
代理商： MRFG35002N6T1
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35002N6T1
Table 6. Class AB Common Source S-Parameters at V
DS
= 6 Vdc, I
DQ
= 65 mA (continued)
S
11
GHz
|S
11
|
∠ φ
|S
21
|
2.80
0.890
140.26
1.42
2.85
0.889
139.29
1.42
2.90
0.888
138.19
1.41
2.95
0.887
137.20
1.40
3.00
0.885
136.18
1.40
3.05
0.884
135.00
1.39
3.10
0.883
133.98
1.38
3.15
0.881
132.89
1.38
3.20
0.880
131.67
1.37
3.25
0.879
130.56
1.37
3.30
0.878
129.47
1.36
3.35
0.876
128.25
1.36
3.40
0.876
127.01
1.35
3.45
0.874
125.80
1.35
3.50
0.872
124.44
1.35
3.55
0.871
123.10
1.34
3.60
0.871
121.58
1.34
3.65
0.867
120.32
1.33
3.70
0.867
118.80
1.33
3.75
0.865
117.37
1.33
3.80
0.864
115.86
1.32
3.85
0.863
114.26
1.32
3.90
0.861
112.73
1.31
3.95
0.859
111.11
1.31
4.00
0.859
109.30
1.31
4.05
0.858
107.69
1.30
4.10
0.855
106.01
1.30
4.15
0.854
104.09
1.30
4.20
0.852
102.36
1.30
4.25
0.850
100.53
1.29
4.30
0.851
98.59
1.29
4.35
0.848
96.65
1.29
4.40
0.847
94.71
1.29
4.45
0.846
92.56
1.29
4.50
0.845
90.47
1.29
4.55
0.843
88.43
1.29
4.60
0.840
86.15
1.29
4.65
0.839
83.96
1.29
4.70
0.837
81.79
1.29
4.75
0.835
79.39
1.30
4.80
0.834
77.08
1.30
4.85
0.832
74.81
1.30
4.90
0.831
72.32
1.30
4.95
0.831
69.82
1.31
5.00
0.829
67.43
1.31
5.05
0.826
64.82
1.31
f
S
21
S
12
S
22
∠ φ
17.14
15.69
14.28
12.80
11.33
9.81
8.29
6.77
5.14
3.56
1.92
0.22
-1.44
-3.12
-4.89
-6.62
-8.32
-10.12
-11.94
-13.68
-15.54
-17.42
-19.27
-21.16
-23.12
-25.03
-26.95
-28.98
-30.89
-32.85
-34.85
-36.86
-38.87
-40.97
-43.11
-45.16
-47.39
-49.59
-51.81
-54.06
-56.36
-58.58
-60.91
-63.36
-65.78
-68.28
|S
12
|
0.0381
0.0385
0.0386
0.0388
0.0392
0.0394
0.0398
0.0402
0.0407
0.0412
0.0415
0.0419
0.0422
0.0428
0.0431
0.0438
0.0442
0.0449
0.0455
0.0458
0.0458
0.0460
0.0464
0.0469
0.0472
0.0476
0.0482
0.0488
0.0491
0.0498
0.0500
0.0504
0.0509
0.0515
0.0519
0.0526
0.0531
0.0537
0.0541
0.0546
0.0550
0.0554
0.0560
0.0565
0.0571
0.0578
∠ φ
-35.1
-36.3
-37.0
-38.3
-38.9
-39.6
-40.5
-41.3
-42.2
-42.9
-44.0
-45.1
-46.2
-47.2
-48.0
-49.1
-50.2
-51.3
-53.0
-54.1
-55.7
-56.6
-58.1
-59.2
-60.4
-61.5
-62.6
-64.0
-65.7
-67.1
-68.5
-70.2
-71.6
-73.3
-74.6
-76.2
-77.8
-79.6
-81.3
-83.0
-85.0
-86.6
-88.1
-90.0
-91.8
-93.5
|S
22
|
0.687
0.684
0.682
0.678
0.676
0.671
0.668
0.665
0.662
0.658
0.656
0.651
0.648
0.646
0.642
0.638
0.637
0.633
0.629
0.626
0.624
0.620
0.617
0.615
0.611
0.608
0.605
0.602
0.599
0.596
0.593
0.589
0.586
0.583
0.580
0.576
0.572
0.568
0.564
0.559
0.556
0.550
0.546
0.542
0.537
0.532
∠ φ
143.5
142.8
142.0
141.2
140.3
139.4
138.4
137.3
136.2
135.1
133.9
132.8
131.5
130.2
129.0
127.5
126.0
124.9
123.5
122.0
120.5
119.1
117.6
116.1
114.7
113.2
111.8
110.3
108.8
107.4
106.0
104.4
102.9
101.4
99.8
98.2
96.5
94.8
93.0
91.2
89.4
87.6
85.5
83.6
81.5
79.2
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PDF描述
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MRFG35003ANR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35003ANT1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35003M6R5 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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