參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35002N6T1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
中文描述： 砷化鎵PHEMT的射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 221K
代理商： MRFG35002N6T1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35002N6T1
TYPICAL CHARACTERISTICS
NOTE:
Data is generated from the test circuit shown.
η
D
,
G
p
,
30
4
14
0
0
50
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 5. Single-Carrier W-CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
40
12
10
8
20
6
30
V
DS
= 6 Vdc, I
DQ
= 65 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
12
18
24
6
10
G
ps
η
D
30
60
20
0
25
5
IRL
ACPR
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 6. Single-Carrier W-CDMA ACPR and
Input Return Loss versus Output Power
A
I
I
30
40
50
15
6
10
12
18
24
V
DS
= 6 Vdc, I
DQ
= 65 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
20
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35003MT1 RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT
MRFG35005MT1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35005NT1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35010ANT1 Gallium Arsenide PHEMT
MRFG35010AR1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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MRFG35003ANR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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MRFG35003M6R5 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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