參數(shù)資料
型號： MRFG35002N6T1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
中文描述： 砷化鎵PHEMT的射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 221K
代理商： MRFG35002N6T1
MRFG35002N6T1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
,
G
T
,
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 3. Transducer Gain and Drain
Efficiency versus Output Power
30
4
14
0
0
50
V
DS
= 6 Vdc, I
DQ
= 75 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Γ
S
= 0.813
115.4 ,
Γ
L
= 0.748
12
10
40
8
30
6
20
5
10
10
15
20
25
G
T
147.8
30
60
20
0
20
0
IRL
ACPR
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 4. Single-Carrier W-CDMA ACPR and
Input Return Loss versus Output Power
A
I
I
5
30
40
50
15
6
10
12
18
24
η
D
V
DS
= 6 Vdc, I
DQ
= 75 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Γ
S
= 0.813
115.4 ,
Γ
L
= 0.748
147.8
NOTE:
All data is referenced to package lead interface.
Γ
S
and
Γ
L
are the impedances presented to the DUT.
All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.
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PDF描述
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MRFG35005MT1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35005NT1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
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