參數(shù)資料
型號： MRFE6S9135HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 449K
代理商： MRFE6S9135HR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
250
10
8
90
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 12. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 39 W Avg., and
η
D
= 32.3%.
MTTF calculator available at http:/www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
10
7
10
6
10
5
110
130
150
170
190
M
210
230
W-CDMA TEST SIGNAL
10
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 13. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 50% Clipping, Single-Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
P
WCDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @
±
5 MHz Offset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
Input Signal
Compressed Output
Signal @ 39 W P
out
60
110
10
(
20
30
40
50
70
80
90
100
3.84 MHz
Channel BW
7.2
1.8
5.4
3.6
0
1.8
3.6
5.4
9
9
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 14. Single-Carrier W-CDMA Spectrum
7.2
ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
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MRFE6S9135HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9135HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9160HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9160HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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