參數(shù)資料
型號： MRFE6S9135HR3
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大小： 449K
代理商： MRFE6S9135HR3
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HSR3
Figure 1. MRFE6S9135HR3(HSR3) Test Circuit Schematic
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
PCB
0.202
″
x 0.980
″
x 0.444
″
Taper
0.114
″
x 0.444
″
Microstrip
0.145
″
x 0.444
″
x 0.110
″
Taper
0.180
″
x 0.110
″
Microstrip
0.585
″
x 0.110
″
Microstrip
0.443
″
x 0.065
″
Microstrip
0.274
″
x 0.065
″
Microstrip
Taconic RF-35, 0.030
″
,
ε
r
= 3.5
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7, Z8
Z9
Z10
0.263
″
x 0.065
″
Microstrip
0.310
″
x 0.065
″
Microstrip
0.910
″
x 0.120
″
Microstrip
0.248
″
x 1.020
″
x 0.120
″
Taper
0.363
″
x 1.020
″
Microstrip
0.057
″
x 1.120
″
Microstrip
0.823
″
x 0.120
″
Microstrip
0.060
″
x 0.980
″
Microstrip
0.149
″
x 0.980
″
Microstrip
Z1
RF
INPUT
C1
C2
Z2
Z3
Z4
Z5
DUT
Z9
C14
C25
RF
OUTPUT
Z10
Z11
Z12
Z13
Z17
C6
B1
V
BIAS
C3
Z6
R1
C7
C9
C8
C11
C10
C12
Z14
Z15
Z16
Z7
C15
C16
C17
C18
Z8
R2
C4
+
C5
R3
C19
+
V
SUPPLY
C20
C21
C22
C23
C24
+
V
SUPPLY
C13
Table 5. MRFE6S9135HR3(HSR3) Test Circuit Component Designations and Values
Part
B1
Short RF Bead
C1, C6, C15, C20, C25
39 pF Chip Capacitors
C2, C14
0.8-8.0 pF Variable Capacitors, Gigatrim
C3
2.0 pF Chip Capacitor
C4
33
μ
F, 25 V Electrolytic Capacitor
C5, C16, C17, C18, C21,
C22, C23
C7, C8
6.8 pF Chip Capacitors
C9, C10, C11, C12, C13
4.7 pF Chip Capacitors
C19, C24
470
μ
F, 63 V Electrolytic Capacitors
R1, R3
3.3
Ω
, 1/3 W Chip Resistors
R2
2.2 K
Ω,
1/4 W Chip Resistor
Description
Part Number
Manufacturer
Fair-Rite
ATC
Johanson
ATC
Nippon Chemi-Con
Murata
2743019447
ATC100B390JT500XT
27291SL
ATC100B2R0JT500XT
EMVY250ADA330MF55G
GRM55DR61H106KA88B
10
μ
F, 50 V Chip Capacitors
ATC100B6R8JT500XT
ATC100B4R7JT500XT
EKME630ELL471MK25S
CRCW12103R30FKEA
CRCW12062201FKEA
ATC
ATC
United Chemi-Con
Vishay
Vishay
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PDF描述
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MRFE6S9135HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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MRFE6S9160HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9160HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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