參數資料
型號： MRFE6S9135HR3
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： N溝道增強型MOSFET的外側
文件頁數： 3/12頁
文件大小： 449K
代理商： MRFE6S9135HR3
MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28
Vdc, I
DQ
= 1000
mA, 920-960
MHz Bandwidth
Video Bandwidth @ 160 W PEP P
out
where IM3 = -30 dBc
(Tone Spacing from 100 kHz to VBW)
Δ
IMD3 = IMD3 @ VBW frequency - IMD3 @ 100 kHz <1 dBc (both
sidebands)
VBW
—
10
—
MHz
Gain Flatness in 40 MHz Bandwidth @ P
out
= 39 W Avg.
G
F
Φ
—
0.3
—
dB
Average Deviation from Linear Phase in 40 MHz Bandwidth
@ P
out
= 135 W CW
—
1
—
°
Average Group Delay @ P
out
= 135 W CW, f = 940 MHz
Delay
—
3.6
—
ns
Part-to-Part Insertion Phase Variation @ P
out
= 135 W CW,
f = 940 MHz, Six Sigma Window
ΔΦ
—
19
—
°
Gain Variation over Temperature
(-30
°
C to +85
°
C)
Δ
G
—
0.015
—
dB/
°
C
Output Power Variation over Temperature
(-30
°
C to +85
°
C)
Δ
P1dB
—
0.01
—
dBm/
°
C
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