參數(shù)資料
型號： MRFE6S9135HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 449K
代理商： MRFE6S9135HR3
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HSR3
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 465B-03
ISSUE D
NI-880
MRFE6S9135HR3
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
4. DELETED
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
K
M
MIN
1.335
0.535
0.147
0.495
0.035
0.003
1.100 BSC
0.057
0.170
0.872
MAX
1.345
0.545
0.200
0.505
0.045
0.006
MIN
33.91
13.6
3.73
12.57
0.89
0.08
27.94 BSC
1.45
4.32
22.15
MAX
34.16
13.8
5.08
12.83
1.14
0.15
MILLIMETERS
INCHES
0.067
0.210
0.888
1.70
5.33
22.55
N
Q
R
S
0.871
.118
0.515
0.515
0.007 REF
0.010 REF
0.015 REF
0.889
.138
0.525
0.525
19.30
3.00
13.10
13.10
0.178 REF
0.254 REF
0.381 REF
22.60
3.51
13.30
13.30
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
3
2
D
T
G
K
C
E
H
F
Q
2X
M
A
M
bbb
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
B
(FLANGE)
SEATING
PLANE
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
A
(FLANGE)
T
N
(LID)
M
(INSULATOR)
S
M
A
M
aaa
B
M
T
(INSULATOR)
R
M
A
M
ccc
B
M
T
(LID)
aaa
bbb
ccc
CASE 465C-02
ISSUE D
NI-880S
MRFE6S9135HSR3
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
DIM
A
B
C
D
E
F
H
K
M
MIN
0.905
0.535
0.147
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0.035
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0.057
0.170
0.872
MAX
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0.505
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0.006
0.067
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0.888
MIN
22.99
13.60
3.73
12.57
0.89
0.08
1.45
4.32
22.15
MAX
23.24
13.80
5.08
12.83
1.14
0.15
1.70
5.33
22.55
MILLIMETERS
INCHES
N
R
S
0.871
0.515
0.515
0.007 REF
0.889
0.525
0.525
19.30
13.10
13.10
0.178 REF
22.60
13.30
13.30
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
SEATING
PLANE
2
D
K
C
E
H
F
M
A
M
bbb
B
M
T
B
B
(FLANGE)
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
N
(LID)
T
A
A
(FLANGE)
T
M
(INSULATOR)
M
A
M
ccc
B
M
S
(INSULATOR)
T
M
A
M
aaa
B
M
T
R
(LID)
bbb
ccc
0.010 REF
0.015 REF
0.254 REF
0.381 REF
aaa
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MRFE6S9135HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9135HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9160HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9160HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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