參數(shù)資料
型號： MRFE6S9130HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大?。?/td> 422K
代理商： MRFE6S9130HR3
MRFE6S9130HR3 MRFE6S9130HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 465-06
ISSUE G
NI-780
MRFE6S9130HR3
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DELETED
4. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
K
M
MIN
1.335
0.380
0.125
0.495
0.035
0.003
1.100 BSC
0.057
0.170
0.774
MAX
1.345
0.390
0.170
0.505
0.045
0.006
MIN
33.91
9.65
3.18
12.57
0.89
0.08
27.94 BSC
1.45
4.32
19.66
MAX
34.16
9.91
4.32
12.83
1.14
0.15
MILLIMETERS
INCHES
0.067
0.210
0.786
1.70
5.33
19.96
N
Q
R
S
0.772
.118
0.365
0.365
0.005 REF
0.010 REF
0.015 REF
0.788
.138
0.375
0.375
19.60
3.00
9.27
9.27
0.127 REF
0.254 REF
0.381 REF
20.00
3.51
9.53
9.52
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
3
2
D
G
K
C
E
H
S
F
aaa
bbb
ccc
Q
2X
M
A
M
bbb
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
B
(FLANGE)
SEATING
PLANE
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
A
A
(FLANGE)
T
N
(LID)
M
(INSULATOR)
M
A
M
aaa
B
M
T
(INSULATOR)
R
M
A
M
ccc
B
M
T
(LID)
CASE 465A-06
ISSUE H
NI-780S
MRFE6S9130HSR3
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DELETED
4. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
DIM
A
B
C
D
E
F
H
K
M
N
MIN
0.805
0.380
0.125
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0.003
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0.772
MAX
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0.210
0.786
0.788
MIN
20.45
9.65
3.18
12.57
0.89
0.08
1.45
4.32
19.61
19.61
MAX
20.70
9.91
4.32
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0.15
1.70
5.33
20.02
20.02
MILLIMETERS
INCHES
R
S
U
Z
0.365
0.365
0.375
0.375
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9.27
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0.76
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
5. SOURCE
1
2
D
K
C
E
H
F
3
U
(FLANGE)
4X
Z
(LID)
4X
bbb
ccc
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M
A
M
bbb
B
M
T
B
B
(FLANGE)
2X
SEATING
PLANE
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
A
A
(FLANGE)
T
N
(LID)
M
(INSULATOR)
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
aaa
B
M
T
R
(LID)
S
(INSULATOR)
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MRFE6S9130HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 130W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9135HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 135W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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