參數(shù)資料
型號(hào)： MRFE6S9130HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
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代理商： MRFE6S9130HR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9130HR3 MRFE6S9130HSR3
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Ω
Z
load
Ω
850
865
880
1.50 - j0.09
1.55 + j0.31
1.52 + j0.11
0.89 - j1.18
0.87 - j1.03
0.85 - j0.89
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA, P
out
= 27 W Avg.
Z
o
= 2
Ω
Z
load
f = 850 MHz
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
f = 910 MHz
Z
source
895
910
1.68 + j0.71
1.60 + j0.51
0.83 - j0.75
0.84 - j0.64
f = 850 MHz
f = 910 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFE6S9135HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRFG35002N6T1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35003MT1 RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT
MRFG35005MT1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35005NT1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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MRFE6S9130HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9130HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 130W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9135HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 135W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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