參數(shù)資料
型號： MRFE6S9045NR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 7/15頁
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代理商： MRFE6S9045NR1
MRFE6S9045NR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
10
80
10
7th Order
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
5th Order
3rd Order
20
30
40
1
200
I
50
60
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 350 mA, f1 = 880 MHz
f2 = 880.1 MHz, TwoTone Measurements
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
10
0
IM7L
TWOTONE SPACING (MHz)
10
20
30
40
50
60
1
100
I
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 48 W (PEP), I
DQ
= 350 mA
TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 880 MHz
Figure 9. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
33
56
P6dB = 49.21 dBm (83.36 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 350 mA, Pulsed CW
12
μ
sec(on), 1% Duty Cycle, f = 880 MHz
54
52
50
46
24
26
25
28
27
31
29
Actual
Ideal
55
51
53
49
30
32
P
o
,
48
47
Figure 10. Single-Carrier N-CDMA ACPR, ALT1, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
0
75
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
70
65
60
55
5
10
50
45
25
30
35
40
40
35
45
50
30
25
55
60
10
1
10
65
70
20
15
ALT1
η
D
G
ps
T
C
= 30 C
ACPR
η
D
,
p
,
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 350 mA
f = 880 MHz, NCDMA IS95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13
A
A
25 C
100
70
100
IM5L
IM5U
IM3U
IM3L
70
IM7U
34
P3dB = 48.40 dBm (69.18 W)
P1dB = 47.38 dBm
(54.7 W)
5
20
30 C
85 C
25 C
15
85 C
25 C
30 C
30 C
85 C
25 C
85 C
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PDF描述
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MRFE6S9060NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 60W TO270-2N FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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