參數(shù)資料
型號(hào)： MRFE6S9045NR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 10/15頁(yè)
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代理商： MRFE6S9045NR1
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9045NR1
Figure 16. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Ω
Z
load
Ω
850
865
880
3.05 + j1.27
3.31 + j1.33
3.16 + j1.33
0.42 + j0.30
0.42 + j0.44
0.45 + j0.60
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 350 mA, P
out
= 10 W Avg.
895
910
3.35 + j1.05
3.43 + j1.20
0.48 + j0.74
0.50 + j0.85
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
Z
o
= 5
Ω
Z
source
f = 850 MHz
f = 910 MHz
Z
load
f = 910 MHz
f = 850 MHz
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PDF描述
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