參數(shù)資料
型號(hào)： MRFE6P3300HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： RF功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)向
文件頁數(shù)： 4/12頁
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代理商： MRFE6P3300HR3
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6P3300HR3 MRFE6P3300HR5
Figure 2. 820-900 MHz Narrowband Test Circuit Component Layout
C
C1
B1
R1
R3
C2 C3
C4
C5
C6
C9
C7
C8
B2
R2
C19
C24
C20
C21
C22
C10
C11
C12
C13
C14
C23
C15
C16
C17
C18
M
COAX3
COAX4
COAX1
COAX2
V
GG
V
GG
V
DD
V
DD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFE6S9045NR1 RF Power Field Effect Transistor
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MRFG35003MT1 RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT
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參數(shù)描述
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MRFE6P9220HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6P9220HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S8046GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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