- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359219 > MRFE6P3300HR3 (飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司) RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRFE6P3300HR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| 中文描述： | RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)向 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 430K |
| 代理商： | MRFE6P3300HR3 |
MRFE6P3300HR3 MRFE6P3300HR5
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
May 2007
Initial Release of Data Sheet
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9045NR1 | RF Power Field Effect Transistor |
| MRFE6S9130HR3 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRFE6S9135HR3 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRFG35002N6T1 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
| MRFG35003MT1 | RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRFE6P3300HR3_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRFE6P3300HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 900MHZ 300W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRFE6P9220HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRFE6P9220HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRFE6S8046GNR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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