參數(shù)資料
型號: MRF9200LSR3
廠商: 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述: N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs
文件頁數(shù): 6/12頁
文件大?。?/td> 775K
代理商: MRF9200LSR3
6
Freescale Semiconductor
Wireless RF Product Device Data
MRF9200LR3 MRF9200LSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
567
'
8(
)8+
(
'
3
3
3
3
3
3
3
7= *$
4
*,
12' / 4 &
$!.6$:$#7.'
/ 4
535#$
12
$#7$ $A6$#,< 4
12
7= *$
* *$
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
3
3
&
7= *$
83(
)12+
4
*,'
$!.6$:$#7.'
567
4
8 )(+'
$#7$ $A6$#,< 4
0
4
:
535#$
12
7= *$
* *$
3
3
3
3
'
Figure 9. Pulse CW Output Power versus
Input Power
*
4 &
*: )
8+
"#
'
8(
)*:+
4
*,'
0
4
:
6;.$* 8'
μ
.$,)5#+' :.$,)5//+
$#7$ $A6$#,< 4
12
,76!;
*$!;
*
4 &
*: )&
8+
5
'
Figure 10. Single
Carrier N
CDMA ACPR, ALT1, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
3
567
'
8(
)8+
&
3
3
3
3
4
*,'
0
4
3
:' / 4
12
3
";57' <#,' !9"#9' !//", 5*$. =569=
η
D
-.
η
-
'
'
'
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9582NT1 Silicon Lateral FET, N -Channel Enhancement-Mode MOSFET
MRFE6P3300HR3 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRFE6S9045NR1 RF Power Field Effect Transistor
MRFE6S9130HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRFE6S9135HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF9210 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF9210R3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 200W RF LDMOS NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9210R5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 200W RF LDMOS NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF927T1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:LOW NOISE HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
MRF927T3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:LOW NOISE HIGH FREQUENCY TRANSISTOR