參數(shù)資料
型號(hào)： MRF9200LR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大小： 775K
代理商： MRF9200LR3
MRF9200LR3 MRF9200LSR3
7
Freescale Semiconductor
Wireless RF Product Device Data
TYPICAL CHARACTERISTICS
567
'
8(
)8+
8
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
η
D
G
ps
η
D
-
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4
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0
4
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12
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Figure 12. Power Gain, Efficiency and IMD
versus Output Power
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Figure 13. Power Gain versus Output Power
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9200LSR3 N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs
MRF9582NT1 Silicon Lateral FET, N -Channel Enhancement-Mode MOSFET
MRFE6P3300HR3 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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