參數(shù)資料
型號： MRF9080LR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors(N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs)
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 314K
代理商： MRF9080LR3
5
8
Freescale Semiconductor
Wireless RF Product Device Data
MRF9080LR3 MRF9080LSR3
Figure 11. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
880
920
960
0.91
j2.11
1.6
j2.61
0.88
j2.65
1.22
j0.12
1.00
j0.16
1.22
j0.22
3
%
*
3
5%
.
3
1000
2.45
j3.38
1.14
j0.41
)3
+,-
8 3
) 3
+,-
) 3
+,-
) 3
+,-
8
049
8
:;!
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
/.
+;.4<$=
9.>
9@$49
!9
90.
./.
+;.4<$=
9.>
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9200LR3 N&#8722;Channel Enhancement&#8722;Mode Lateral MOSFETs
MRF9200LSR3 N&#8722;Channel Enhancement&#8722;Mode Lateral MOSFETs
MRF9582NT1 Silicon Lateral FET, N -Channel Enhancement-Mode MOSFET
MRFE6P3300HR3 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRFE6S9045NR1 RF Power Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF9080LR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF9080LR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 75W 960MHZ 26V NI780L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9080LSR3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF9080R3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF9080R5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*