參數(shù)資料
型號(hào)： MRF9045LR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 231K
代理商： MRF9045LR1
5
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 65 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate
Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 150
μ
Adc)
V
GS(th)
2
3
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 28 Vdc, I
D
= 350 mAdc)
V
GS(Q)
—
3.7
—
Vdc
Drain
Source On
Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 1 Adc)
V
DS(on)
—
0.19
0.4
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 3 Adc)
g
fs
—
4
—
S
Dynamic Characteristics
Input Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
iss
—
69
—
pF
Output Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
oss
—
37
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
rss
—
1.5
—
pF
(continued)
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PDF描述
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