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參數(shù)資料
| 型號： | MRF9030MR1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | 射頻功率場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | MRF9030MR1 |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF9030NR1 MRF9030NBR1 MRF9030MR1 MRF9030MBR1
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Figure 9. Power Gain, Efficiency and IMD
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF9045LR1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF9060LR1 | RF Power Field Effect Transistors N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs |
| MRF9080LR3 | RF Power Field Effect Transistors(N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs) |
| MRF9200LR3 | N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs |
| MRF9200LSR3 | N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF9030MR1_07 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF9030NBR1 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF9030NR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 30W RF PWR FET TO-270N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF9030NR1_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF9030R1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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