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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF9002NR2 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistor Array N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| 中文描述： | RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管陣列N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)向 |
| 文件頁數(shù)： | 2/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 403K |
| 代理商： | MRF9002NR2 |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF9002NR2
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 20
μ
Adc)
V
GS(th)
2.4
—
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 26 Vdc, I
D
= 25 mAdc)
V
GS(Q)
3
—
5
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 0.1 Adc)
V
DS(on)
—
0.3
—
Vdc
Functional Tests
(Per Transistor in Freescale Test Fixture, 50 ohm system)
Common-Source Amplifier Power Gain @ P1dB
(V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 25 mA, f = 960.0 MHz)
G
ps
15
18
—
dB
Drain Efficiency @ P1dB
(V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 25 mA, f = 960.0 MHz)
η
35
50
—
%
Input Return Loss @ P1dB
(V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 25 mA, f = 960.0 MHz)
IRL
—
- 15
- 9
dB
Power Output, 1 dB Compression Point
(V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 25 mA, f = 960.0 MHz)
P
1dB
34
37
—
dBm
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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